[发明专利]一种剥离装置及其剥离方法在审
申请号: | 201611239456.9 | 申请日: | 2016-12-28 |
公开(公告)号: | CN106783688A | 公开(公告)日: | 2017-05-31 |
发明(设计)人: | 曹可;姜涛;韩领 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司11291 | 代理人: | 黄志华 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 剥离 装置 及其 方法 | ||
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤指一种剥离装置及其剥离方法。
背景技术
近年来,柔性显示作为下一代显示重点技术得到飞快的发展,柔性显示器件使用一种可卷曲的柔性基板,该柔性基板是由柔软的材料制成,其特点为可变型可弯曲,且具有轻薄,携带方便等优点。
目前,在柔性基板制造中,为了将柔性基板从玻璃基板上剥离,通常采用的方法为激光整体剥离方法,即利用透过玻璃基板的激光对玻璃基板上成型的柔性基板进行整体剥离,由于使用此类方法的过程中热量不易散去,过高的温度使得柔性基板变形,平整度下降,另外激光的直接照射会破坏柔性基板中的有源层的性能,产生严重不良。
因此,如何避免激光整体剥离技术对柔性基板造成的变形、损伤有源层等不利影响,是本领域人员亟待解决的技术问题。
发明内容
有鉴于此,本发明实施例提供一种剥离装置及其剥离方法,可以保证柔性基板在剥离过程中不变形、无损伤。
因此,本发明实施例提供了一种剥离装置,用于将柔性基板从衬底上剥离,包括:激光发射器和卷揭轮;所述卷揭轮具有滚锟和位于所述滚锟上的多个吸盘;
所述激光发射器,用于在所述柔性基板的边缘区域向所述柔性基板与衬底的界面处发射激光;
所述卷揭轮,用于采用所述吸盘吸附所述柔性基板,并利用所述滚锟的滚动,将整个所述柔性基板卷起。
在一种可能的实现方式中,在本发明实施例提供的上述剥离装置中,所述滚锟的周长大于所述柔性基板的长度。
在一种可能的实现方式中,在本发明实施例提供的上述剥离装置中,还包括:气体供应器;
所述气体供应器,用于提供干冷空气,以控制剥离过程的温度维持在设定的温度范围内。
在一种可能的实现方式中,在本发明实施例提供的上述剥离装置中,所述温度范围为10℃至35℃。
在一种可能的实现方式中,在本发明实施例提供的上述剥离装置中,所述激光发射器与所述气体供应器为一体化设备。
在一种可能的实现方式中,在本发明实施例提供的上述剥离装置中,所述吸盘具体位于所述滚锟上的开孔;
所述滚锟内设有多个真空管道,每一真空管道的一端与所述滚锟的轴连通,另一端与所述滚锟上的开孔连通,所述吸盘利用连接与所述轴的一真空泵对所述滚锟内部抽真空吸附在所述滚锟上的开孔。
在一种可能的实现方式中,在本发明实施例提供的上述剥离装置中,所述柔性基板包括柔性基底,以及设置在所述柔性基底背向所述衬底一侧的功能膜层和保护层。
本发明实施例还提供了一种采用本发明实施例提供的上述剥离装置的剥离方法,用于将柔性基板从衬底上剥离,包括:
在所述柔性基板的上方放置卷揭轮,以及在所述柔性基板的边缘区域放置激光发射器;
通过所述激光发射器发射的激光照射所述柔性基板与衬底的界面处;
同时通过卷揭轮采用吸盘吸附所述柔性基板,并利用滚锟的滚动,将所述柔性基板卷起,以将整个所述柔性基板从衬底上剥离。
在一种可能的实现方式中,本发明实施例提供的上述剥离方法中,还包括:
同时通过气体供应器提供的干冷空气,以控制剥离过程的温度维持在设定的温度范围内。
在一种可能的实现方式中,本发明实施例提供的上述剥离方法中,通过所述激光发射器发射的激光照射所述柔性基板与衬底的界面处时,所述激光的传播方向为远离所述柔性基板的方向,且与所述衬底所在水平面具有一定的夹角。
本发明实施例的有益效果包括:
本发明实施例提供的一种剥离装置及其剥离方法,用于将柔性基板从衬底上剥离,包括:激光发射器和卷揭轮;卷揭轮具有滚锟和位于滚锟上的多个吸盘;激光发射器,用于在柔性基板的边缘区域向柔性基板与衬底的界面处发射激光;卷揭轮,用于采用吸盘吸附柔性基板,并利用滚锟的滚动,将整个柔性基板卷起。本发明实施例提供的上述剥离装置可以避免激光整体剥离技术对柔性基板造成的变形、损伤有源层等不利影响,保证柔性基板在剥离过程中不变形、无损伤。
附图说明
图1为本发明实施例提供的剥离装置的结构示意图;
图2为本发明实施例提供的形成在衬底上的柔性基板的结构示意图;
图3为本发明实施例提供的剥离装置的剥离方法流程图之一;
图4为本发明实施例提供的剥离装置的剥离方法流程图之二;
图5为本发明实施例提供的剥离装置进行剥离的示意图。
具体实施方式
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造