[发明专利]一种栅氧化层反熔丝PROM存储单元版图结构

权利要求书

1.一种栅氧化层反熔丝PROM存储单元版图结构，其特征在于，包括：选择NMOS晶体管(101)、第一存储NMOS晶体管(102)、第二存储NMOS晶体管(103)、衬底接触区域(104)、第一金属层(161)、第二金属层(162)和第三金属层(163)；

选择NMOS晶体管(101)包括：第一N注入源区(01)、第一栅(02)、第一N注入漏区、第一接触孔(09)和第二接触孔；第一存储NMOS晶体管(102)包括：第二N注入源区、第二栅(051)、第二N注入漏区(06)和第三接触孔；第二存储NMOS晶体管(103)包括：第三N注入源区(04)、第三栅(052)、第三N注入漏区(07)、第四接触孔(11)；衬底接触区域(104)为P型衬底接触，包括：P注入有源区(08)、第五接触孔(121)和第六接触孔(122)；其中，所述第一N注入漏区与所述第二N注入源区共用公共区域(03)；所述第二接触孔与第三接触孔共用公共接触孔(10)；第二N注入源区和第三N注入源区(04)通过接触孔公共接触孔(10)和第四接触孔(11)与第一金属层(161)连接；第一栅(051)和第二栅(052)为连接在一起的整体；第一N注入源区(01)通过第一接触孔(09)连接至位线的第二金属层(162)；P型衬底接触通过第三金属层(163)连至地线；

其中，第一存储NMOS晶体管(102)和第二存储NMOS晶体管(103)并联，用于提高栅氧化层反熔丝PROM存储单元的编程后等效电阻的一致性，保证栅氧化层反熔丝PROM存储单元的可靠性；引入P型衬底接触，用于增强栅氧化层反熔丝PROM存储单元的抗单粒子闩锁能力；具体的：

栅氧化层反熔丝PROM存储单元在编程前，选择NMOS晶体管的栅极施加开启电压时，在第一存储NMOS晶体管和第二存储NMOS晶体管栅极施加读取电压，由于第一存储NMOS晶体管和第二存储NMOS晶体管的栅极和源极呈电容特性，在位线检测不到电流；栅氧化层反熔丝PROM存储单元在编程后，选择NMOS晶体管的栅极施加开启电压时，在第一存储NMOS晶体管和第二存储NMOS晶体管栅极施加读取电压，由于单元编程后第一存储NMOS晶体管和第二存储NMOS晶体管的栅氧被击穿，栅极和源极呈电阻特性，在位线可以检测出读取电流；其中，栅氧化层反熔丝PROM存储单元基于所述栅氧化层反熔丝PROM存储单元版图结构加工得到。

2.根据权利要求1所述的栅氧化层反熔丝PROM存储单元版图结构，其特征在于，所述栅氧化层反熔丝PROM存储单元版图结构还包括：N注入区(14)、第一有源区(13)和第二有源区(15)；

第一N注入源区(01)和第一N注入漏区由N注入区(14)和第一有源区(13)叠加形成；

第二N注入源区和第二N注入漏区(06)由N注入区(14)和第一有源区(13)叠加形成；

第三N注入源区(04)和第三N注入漏区(07)由N注入区(14)和第二有源区(15)叠加形成。

3.根据权利要求1所述的栅氧化层反熔丝PROM存储单元版图结构，其特征在于，

选择NMOS晶体管(101)的沟道长度为第一栅(02)的长度；

第一存储NMOS晶体管(102)的沟道长度为第二栅(051)的长度；

第二存储NMOS晶体管(103)的沟道长度为第三栅(052)的长度；

其中，第一栅(02)、第二栅(051)和第三栅(052)的长度相同，为L0。

4.根据权利要求2所述的栅氧化层反熔丝PROM存储单元版图结构，其特征在于：

选择NMOS晶体管(101)的沟道宽度为第一有源区(13)与第一栅(02)的相交线长度；

第一存储NMOS晶体管(102)的沟道宽度为第一有源区(13)与第二栅(051)的相交线长度；

第二存储NMOS晶体管(103)的沟道宽度为第二有源区(15)与第三栅(052)的相交线长度；

其中，第一有源区(13)与第一栅(02)的相交线长度、第一有源区(13)与第二栅(051)的相交线长度、和第二有源区(15)与第三栅(052)的相交线长度相同，为L1；

L1满足：L1≥L1₀；其中，L1₀为标准工艺设计规则中N注入有源区最小注入宽度的版图设计规则值。