[发明专利]一种栅氧化层反熔丝PROM存储单元版图结构

说明书

本发明公开了一种栅氧化层反熔丝PROM存储单元版图结构，包括：选择NMOS晶体管，第一存储NMOS晶体管、第二存储NMOS晶体管，衬底接触区域；选择NMOS晶体管包括：第一N注入源区、第一栅、第一N注入漏区、第一接触孔和第二接触孔；第一存储NMOS晶体管包括：第二N注入源区、第二栅、第二N注入漏区和第三接触孔；第二存储NMOS晶体管包括：第三N注入源区、第三栅、第三N注入漏区、第四接触孔；衬底接触区域包括：P注入有源区、第五接触孔和第六接触孔。本发明通过增加并联的存储晶体管，提高了存储单元的编程后等效电阻的一致性，保证了存储单元的可靠性，并通过P型衬底接触，增强了存储单元的抗单粒子闩锁能力。

技术领域

本发明属于PROM(Programmable Read Only Memory，PROM，可编程只读存储器)存储单元技术领域，尤其涉及一种栅氧化层反熔丝PROM存储单元版图结构。

背景技术

栅氧化层反熔丝PROM存储单元的存储体是一个MOS(Metal OxideSemiconductor，金属-氧化物-半导体)晶体管的栅氧化层。存储单元的编程是指在作为存储体的MOS管的栅极持续施加编程高压，使栅氧化层永久击穿，形成一个永久性的电阻导电通道。反熔丝在编程之前等效于一个电容，而在编程之后等效于一个电阻。对未编程的单元进行读操作时，选通管开启，位线上的电流极小；对编程击穿后的单元进行读操作，电流会有显著的增大。通过电流以及相应的外围电路可以区分出电路存储的数据。

栅氧化层反熔丝PROM存储单元的一个特点是其编程后单元等效电阻的离散度大，若编程后一些存储单元的等效电阻值处于临界状态，可能会导致单元读取错误，发生失效。

发明内容

本发明的技术解决问题：克服现有技术的不足，提供一种栅氧化层反熔丝PROM存储单元版图结构，通过增加并联的存储晶体管，提高了栅氧化层反熔丝PROM存储单元的编程后等效电阻的一致性，保证了存储单元的可靠性；并在单元中引入P型衬底接触，增强了单元的抗单粒子闩锁(SEL)能力。

为了解决上述技术问题，本发明公开了一种栅氧化层反熔丝PROM存储单元版图结构，包括：选择NMOS(N型MOS晶体管)晶体管(101)，第一存储NMOS晶体管(102)、第二存储NMOS晶体管(103)，衬底接触区域(104)，第一金属层(161)、第二金属层(162)和第三金属层(163)；

选择NMOS晶体管(101)包括：第一N注入源区(01)、第一栅(02)、第一N注入漏区、第一接触孔(09)和第二接触孔；

第一存储NMOS晶体管(102)包括：第二N注入源区、第二栅(051)、第二N注入漏区(06)和第三接触孔；

第二存储NMOS晶体管(103)包括：第三N注入源区(04)、第三栅(052)、第三N注入漏区(07)、第四接触孔(11)；

衬底接触区域(104)为P型衬底接触，包括：P注入有源区(08)、第五接触孔(121)和第六接触孔(122)；

其中，所述第一N注入漏区与所述第二N注入源区共用公共区域(03)；所述第二接触孔与第三接触孔共用公共接触孔(10)；

第二N注入源区和第三N注入源区(04)通过接触孔公共接触孔(10)和第四接触孔(11)与第一金属层(161)连接；

第一栅(051)和第二栅(052)为连接在一起的整体；

第一N注入源区(01)通过第一接触孔(09)连接至位线的第二金属层(162)；

P型衬底接触通过第三金属层(163)连至地线。

在上述栅氧化层反熔丝PROM存储单元版图结构中，所述栅氧化层反熔丝PROM存储单元版图结构还包括：N注入区(14)、第一有源区(13)和第二有源区(15)；