[发明专利]晶片的加工方法在审
申请号: | 201611242081.1 | 申请日: | 2016-12-29 |
公开(公告)号: | CN107039342A | 公开(公告)日: | 2017-08-11 |
发明(设计)人: | 松冈祐哉;广泽俊一郎;辻本浩平 | 申请(专利权)人: | 株式会社迪思科 |
主分类号: | H01L21/78 | 分类号: | H01L21/78 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司11127 | 代理人: | 李辉,于靖帅 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 晶片 加工 方法 | ||
1.一种晶片的加工方法,对在正面上具有器件区域和围绕该器件区域的外周剩余区域的晶片进行加工,该器件区域形成有多个器件和多条分割预定线,其中,该晶片的加工方法具有如下的步骤:
保护带粘贴步骤,在该晶片的正面侧粘贴保护带;
环状加强部形成步骤,在实施了该保护带粘贴步骤之后,通过磨削单元将与该器件区域对应的背面磨削至第1厚度,在与该外周剩余区域对应的背面形成环状的加强部;
改质层形成步骤,在实施了该环状加强部形成步骤之后,将对于该晶片具有透过性的波长的激光束定位在该晶片的该器件区域的内部而从该晶片的背面沿着该分割预定线在该晶片的该器件区域的内部形成改质层;以及
磨削步骤,在实施了该改质层形成步骤之后,从该晶片的背面通过磨削单元进行磨削而将晶片薄化至完工厚度,并且通过磨削动作以所述改质层为起点沿着所述分割预定线对该晶片进行分割。
2.根据权利要求1所述的晶片的加工方法,其中,
该晶片的加工方法还具有如下的环状切削槽形成步骤:在实施该保护带粘贴步骤之前,将该晶片的背面侧吸引保持在进行旋转的卡盘工作台上,从该晶片的正面侧利用切削刀具切入该外周剩余区域与该器件区域的边界直到到达该第1厚度,并使该卡盘工作台旋转而在该外周剩余区域与该器件区域的边界形成环状的切削槽。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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