[发明专利]晶片的加工方法

说明书

技术领域

本发明涉及晶片的加工方法。

背景技术

已知当利用切削刀具对例如厚度为300μm以上的厚度较厚的晶片进行切割时，会大幅产生背面崩边。因此，为了抑制背面崩边，提出了一种叫做SDBG(Stealth Dicing Before Grinding：先隐形切割后减薄)法的加工方法。SDBG法是组合了激光加工方法和磨削方法的技术。更详细地说，是如下技术：首先对晶片照射对于晶片具有透过性的波长的激光束而沿着分割预定线在规定的深度的位置(从晶片的正面起的深度相当于器件芯片的完工厚度以上的位置)形成改质层，并且形成从改质层朝向晶片的正面侧伸长的裂纹层。之后，对晶片的背面进行磨削而将晶片薄化至完工厚度，并且通过磨削压力以裂纹层为分割起点将晶片分割成各个器件芯片(例如，参照专利文献1)。

专利文献1：国际公开第2003/077295号

但是，当利用激光加工装置在晶片上形成改质层之后，在利用搬送单元将晶片搬送至磨削装置时，晶片因受改质层形成之后伸长的裂纹层的影响而较大地翘曲，存在搬送困难的担心。

发明内容

本发明是鉴于上述情况而完成的，其目的在于，提供晶片的加工方法，能够减少改质层形成后的晶片的翘曲并能够进行搬送。

为了解决上述的课题并达成目的，本发明的晶片的加工方法对在正面上具有器件区域和围绕该器件区域的外周剩余区域的晶片进行加工，该器件区域形成有多个器件和多条分割预定线，其中，该晶片的加工方法具有如下的步骤：保护带粘贴步骤，在该晶片的正面侧粘贴保护带；环状加强部形成步骤，在实施了该保护带粘贴步骤之后，通过磨削单元将与该器件区域对应的背面磨削至第1厚度，在与该外周剩余区域对应的背面形成环状的加强部；改质层形成步骤，在实施了该环状加强部形成步骤之后，将对于该晶片具有透过性的波长的激光束定位在该晶片的该器件区域的内部而从该晶片的背面沿着该分割预定线在该晶片的该器件区域的内部形成改质层；以及磨削步骤，在实施了该改质层形成步骤之后，从该晶片的背面通过磨削单元进行磨削而将晶片薄化至完工厚度，并且通过磨削动作以所述改质层为起点沿着所述分割预定线对该晶片进行分割。

并且，在晶片的加工方法中，优选还具有如下的环状切削槽形成步骤：在实施该保护带粘贴步骤之前，将该晶片的背面侧吸引保持在进行旋转的卡盘工作台上，从该晶片的正面侧利用切削刀具切入该外周剩余区域与该器件区域的边界直到到达该第1厚度，并使该卡盘工作台旋转而在该外周剩余区域与该器件区域的边界形成环状的切削槽。

根据本申请发明的晶片的加工方法，能够减少改质层形成后的晶片的翘曲并能够进行搬送。

附图说明

图1是第一实施方式的晶片的加工方法的流程图。

图2是示出第一实施方式的晶片的加工方法的保护带粘贴步骤中的晶片的结构例的剖视图。

图3是示出第一实施方式的晶片的加工方法的环状加强部形成步骤中的磨削单元周边的结构例的剖视图。

图4是示出第一实施方式的晶片的加工方法的改质层形成步骤中的激光加工单元周边的结构例的剖视图。

图5是示出第一实施方式的晶片的加工方法的磨削步骤中的磨削单元周边的结构例的剖视图。

图6是示出第一实施方式的晶片的加工方法的磨削步骤中的晶片的结构例的放大剖视图。

图7是示出第一实施方式的晶片的加工方法的磨削步骤中的磨削单元周边的结构例的剖视图。

图8是第二实施方式的晶片的加工方法的流程图。

图9是示出第二实施方式的晶片的加工方法的环状切削槽形成步骤中的切削单元周边的结构例的剖视图。

图10是示出第二实施方式的晶片的加工方法的保护带粘贴步骤中的晶片的结构例的剖视图。

图11是示出第二实施方式的晶片的加工方法的环状加强部形成步骤中的磨削单元周边的结构例的剖视图。

图12是示出第二实施方式的晶片的加工方法的改质层形成步骤中的激光加工单元周边的结构例的剖视图。

图13是示出第二实施方式的晶片的加工方法的磨削步骤中的磨削单元周边的结构例的剖视图。

图14是示出第二实施方式的晶片的加工方法的磨削步骤中的磨削单元周边的结构例的剖视图。

标号说明