[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

形成基底，所述基底包括衬底、位于所述衬底上的栅极结构、位于所述栅极结构两侧基底内的源漏掺杂区、以及位于所述基底上且覆盖所述栅极结构顶部的层间介质层；

在所述栅极结构两侧的层间介质层内形成露出所述源漏掺杂区的第一接触开口；

对所述第一接触开口露出的所述源漏掺杂区进行预非晶化处理，在所述第一接触开口底部形成非晶层；所述预非晶化处理为离子注入工艺；

仅对靠近所述源漏掺杂区的部分所述非晶层进行再结晶处理,通过所述再结晶处理，自所述非晶层底部与所述源漏掺杂区的交界处，沿所述离子注入工艺的射程末端至所述非晶层顶部的方向开始重新结晶，并在重新结晶的过程中修复所述射程末端处的缺陷；

再结晶处理后，在所述第一接触开口的底部形成金属硅化物层；

形成所述金属硅化物层后，向所述第一接触开口内填充导电材料，在所述第一接触开口内形成第一接触孔插塞；

其中，所述再结晶处理的工艺仅为激光退火工艺或仅为低温炉管工艺。

2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述预非晶化处理为离子注入工艺；

所述离子注入工艺的注入离子为Ge离子，注入的离子能量为3KeV至10KeV，注入的离子剂量为1E14atom/cm²至3E15atom/cm²。

3.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述低温炉管工艺的参数包括：工艺温度为500℃至750℃，工艺时间为30分钟至120分钟。

4.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述激光退火工艺的参数包括：退火温度为900℃至1000℃，退火时间为0.5毫秒至2毫秒。

5.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述基底为含硅基底；

所述非晶层的材料为非晶硅；

形成所述金属硅化物层的步骤包括：在所述第一接触开口表面保形覆盖金属层；形成所述金属层后，对所述基底进行退火处理，使所述金属层与硅反应，将所述金属层转化为金属硅化物层。

6.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述金属硅化物层的厚度为至

7.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述源漏掺杂区的掺杂离子包括Ge离子，Ge离子的原子百分比含量为35％至65％；

或者，

所述源漏掺杂区的掺杂离子包括P离子，P离子的掺杂浓度为2E20atom/cm³至2E21atom/cm³。

8.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，再结晶处理后，在所述第一接触开口的底部形成金属硅化物层之前，所述形成方法还包括：在所述栅极结构上方的层间介质层内形成露出所述栅极结构顶部的第二接触开口；

向所述第一接触开口内填充导电材料的步骤中，还向所述第二接触开口内填充导电材料，在所述第二接触开口内形成第二接触孔插塞。

9.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成基底的步骤中，所述基底还包括位于所述衬底上分立的鳍部；

所述栅极结构横跨所述鳍部，且覆盖所述鳍部的部分侧壁表面和顶部表面；

所述源漏掺杂区位于所述栅极结构两侧的鳍部内。