[发明专利]浅沟槽隔离沟槽的制作方法

权利要求书

1.一种浅沟槽隔离沟槽的制作方法，包含：

提供一基底；

形成一第一掩模覆盖该基底，该第一掩模包含多个第一次掩模，其中一第一沟槽设置于相邻的各该第一次掩模之间；

形成一保护层填满该第一沟槽；

形成一第二掩模覆盖该第一掩模，该第二掩模包含一开口，其中设置于该开口正下方的该次掩模定义为一接合浅沟槽图案；

以该第二掩模为掩模，移除该接合浅沟槽图案，以将该第一掩模转变为一第三掩模；

移除该第二掩模；

移除该保护层；以及

以该第三掩模为掩模，移除部分的该基底，形成多个浅沟槽隔离沟槽,

其中所述形成一第一掩模覆盖该基底包括：

在所述基底上覆盖一材料层；

接着形成第一图案化掩模层，所述第一图案化掩模层中包含多个开口；

形成顺应地覆盖所述第一图案化掩模层的氧化硅层；

然后形成一牺牲层，该牺牲层覆盖所述氧化硅层且填入所述多个开口；

回蚀刻所述牺牲层；

然后更换蚀刻剂，蚀刻在所述牺牲层上表面的所述氧化硅层以及蚀刻位于所述开口的侧壁上的所述氧化硅层，以形成第二图案化掩模层，其中所述第二图案化掩模层包含多个第二次掩模，且第二沟槽设置于相邻的所述第二次掩模之间；

以所述第二图案化掩模层为掩模，图案化所述材料层，从而图案化后的所述材料层形成所述第一掩模。

2.如权利要求1所述的浅沟槽隔离沟槽的制作方法，其中该第一掩模包含第一材料，该保护层包含第二材料，该第一材料和该第二材料相较一预定蚀刻剂具有一高选择比。

3.如权利要求2所述的浅沟槽隔离沟槽的制作方法，其中该第一材料包含氮化硅，该保护层包含氧化硅，该预定蚀刻剂包含含氟气体。

4.如权利要求1所述的浅沟槽隔离沟槽的制作方法，另包含在以该第二掩模为掩模，移除该接合浅沟槽图案时，同时部分移除与该接合浅沟槽图案相邻的该保护层。

5.如权利要求1所述的浅沟槽隔离沟槽的制作方法，其中该开口和该接合浅沟槽图案切齐。

6.如权利要求1所述的浅沟槽隔离沟槽的制作方法，其中该开口的侧壁和与该接合浅沟槽图案相邻的该保护层切齐。

7.如权利要求1所述的浅沟槽隔离沟槽的制作方法，另包含：

在形成该多个浅沟槽隔离沟槽后，移除该第三掩模；以及

形成绝缘层填入该多个浅沟槽隔离沟槽。