[发明专利]一种薄膜晶体管的制作方法及薄膜晶体管在审
| 申请号： | 201611247423.9 | 申请日： | 2016-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN106601823A | 公开（公告）日： | 2017-04-26 |
| 发明（设计）人： | 马明超;樊君;李付强 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/02;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司11291 | 代理人： | 黄志华 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜晶体管 制作方法 | ||
1.一种薄膜晶体管的制作方法，包括：在衬底基板上依次形成缓冲层、栅极和栅绝缘层的图形；其特征在于，还包括：
在形成有所述栅绝缘层的图形的衬底基板上形成非晶硅层；
在形成有所述非晶硅层的衬底基板上形成金属诱导层；
对形成有所述金属诱导层的衬底基板进行退火处理；
对退火处理后的所述衬底基板进行构图工艺，形成对应有源层的第一掺杂区和对应源漏极的第二掺杂区；
对形成的所述第一掺杂区进行刻蚀处理，形成有源层的图形；
在形成的所述第二掺杂区上形成对应的源极和漏极的图形。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对形成有所述金属诱导层的衬底基板进行退火处理，包括：
在保护气体或真空的氛围中，采用预设温度对形成有所述金属诱导层的衬底基板加热预设时长，之后自然冷却至室温。
3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述预设温度为400～600℃，所述预设时长为10～20分钟。
4.如权利要求1-3任一项所述的方法，其特征在于，所述在形成有所述非晶硅层的衬底基板上形成金属诱导层，包括：
采用磁控溅射法在形成有所述非晶硅层的衬底基板上形成金属诱导层。
5.如权利要求5所述的方法，其特征在于，所述金属诱导层的材料为铝、铜、镍、金、银或钼中的一种或多种组合。
6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对形成的所述第一掺杂区进行刻蚀处理，形成有源层的图形，包括：
刻蚀掉所述第一掺杂区表面的峰值层，形成所述有源层的图形；其中，所述峰值层为所述第一掺杂区表面掺杂的金属离子浓度大于预设阈值的金属层；所述有源层在所述衬底基板上的正投影与所述栅极在所述衬底基板上的正投影重叠。
7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在形成的所述第二掺杂区上形成对应的源极和漏极的图形，包括：
采用磁控溅射法在形成有所述第二掺杂区的衬底基板上沉积源漏极金属层；
对所述源漏极金属层进行构图工艺形成所述源极和所述漏极的图形。
8.如权利要求7所述的方法，其特征在于，所述源极为钛铝钛或钼铝钼的叠层结构；所述漏极为钛铝钛或钼铝钼的叠层结构。
9.一种薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管使用如权利要求1-8任一项所述的方法制作。
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