[发明专利]一种薄膜晶体管的制作方法及薄膜晶体管

说明书

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种薄膜晶体管的制作方法及薄膜晶体管。

背景技术

目前，液晶显示面板(LCD，Liquid Crystal Display)、电致发光(EL，electroluminescence)显示面板以及电子纸等显示装置已为人所熟知。在这些显示装置中具有控制各像素开关的薄膜晶体管(TFT，Thin Film Transistor)。一般地，如图1所示，薄膜晶体管的结构主要包括：位于衬底基板上的遮光层1、缓冲层2、有源层3、栅绝缘层4、栅极5、源极6和漏极7；其中，有源层采用多晶硅材料，遮光层用于遮挡外界光线对多晶硅材料的影响，防止有源层产生光生载流子，进而避免影响薄膜晶体管的开关特性。然而采用多晶硅材料作为有源层材料的薄膜晶体管，其关态电流较大，造成开关晶体管具有较大的漏电流，进而使得显示区域的像素开关特性不稳定，影响了显示装置的显示效果，降低了显示产品的良率。并且上述薄膜晶体管的膜层结构较复杂，不利于降低制作成本。

因此，如何简化薄膜晶体管的制作工艺，降低制作成本，且降低薄膜晶体管的关态电流，提高薄膜晶体管的电性能。

发明内容

本发明实施例提供了一种薄膜晶体管的制作方法及薄膜晶体管，用以解决现有技术中存在的薄膜晶体管的膜层结构较复杂，且薄膜晶体管的关态电流较大的问题。

本发明实施例提供了一种薄膜晶体管的制作方法，包括：在衬底基板上依次形成缓冲层、栅极和栅绝缘层的图形；还包括：

在形成有所述栅绝缘层的图形的衬底基板上形成非晶硅层；

在形成有所述非晶硅层的衬底基板上形成金属诱导层；

对形成有所述金属诱导层的衬底基板进行退火处理；

对退火处理后的所述衬底基板进行构图工艺，形成对应有源层的第一掺杂区和对应源漏极的第二掺杂区；

对形成的所述第一掺杂区进行刻蚀处理，形成有源层的图形；

在形成的所述第二掺杂区上形成对应的源极和漏极的图形。

在一种可能的实施方式中，本发明实施例提供的上述薄膜晶体管的制作方法中，所述对形成有所述金属诱导层的衬底基板进行退火处理，包括：

在保护气体或真空的氛围中，采用预设温度对形成有所述金属诱导层的衬底基板加热预设时长，之后自然冷却至室温。

在一种可能的实施方式中，本发明实施例提供的上述薄膜晶体管的制作方法中，所述预设温度为400～600℃，所述预设时长为10～20分钟。

在一种可能的实施方式中，本发明实施例提供的上述薄膜晶体管的制作方法中，所述在形成有所述非晶硅层的衬底基板上形成金属诱导层，包括：

采用磁控溅射法在形成有所述非晶硅层的衬底基板上形成金属诱导层。

在一种可能的实施方式中，本发明实施例提供的上述薄膜晶体管的制作方法中，所述金属诱导层的材料为铝、铜、镍、金、银或钼中的一种或多种组合。

在一种可能的实施方式中，本发明实施例提供的上述薄膜晶体管的制作方法中，所述对形成的所述第一掺杂区进行刻蚀处理，形成有源层的图形，包括：

刻蚀掉所述第一掺杂区表面的峰值层，形成所述有源层的图形；其中，所述峰值层为所述第一掺杂区表面掺杂的金属离子浓度大于预设阈值的金属层；所述有源层在所述衬底基板上的正投影与所述栅极在所述衬底基板上的正投影重叠。

在一种可能的实施方式中，本发明实施例提供的上述薄膜晶体管的制作方法中，所述在形成的所述第二掺杂区上形成对应的源极和漏极的图形，包括：

采用磁控溅射法在形成有所述第二掺杂区的衬底基板上沉积源漏极金属层；

对所述源漏极金属层进行构图工艺形成所述源极和所述漏极的图形。

在一种可能的实施方式中，本发明实施例提供的上述薄膜晶体管的制作方法中，所述源极为钛铝钛或钼铝钼的叠层结构；所述漏极为钛铝钛或钼铝钼的叠层结构。

本发明实施例提供了一种薄膜晶体管，所述薄膜晶体管使用本发明实施例提供的上述方法制作。

本发明实施例的有益效果包括：