[发明专利]MEMS麦克风封装结构及其制作方法有效

专利信息
申请号: 201611247489.8 申请日: 2016-12-29
公开(公告)号: CN108260060B 公开(公告)日: 2020-09-15
发明(设计)人: 黄昱程 申请(专利权)人: 碁鼎科技秦皇岛有限公司
主分类号: H04R19/04 分类号: H04R19/04;H04R31/00
代理公司: 深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司 44334 代理人: 薛晓伟
地址: 066004 河北省*** 国省代码: 河北;13
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摘要:
搜索关键词: mems 麦克风 封装 结构 及其 制作方法
【权利要求书】:

1.一种MEMS麦克风封装结构,包括一麦克风外壳、一封装载板、一ASIC芯片及至少一MEMS芯片,该MEMS芯片、该ASIC芯片及该麦克风外壳设置在该封装载板上,该封装载板与该麦克风外壳结合形成一收容腔,该ASIC芯片与该MEMS芯片均收容在该收容腔内且与该封装载板电性连接,该MEMS芯片包括一振膜及一与该振膜相背的凹槽;其特征在于,该封装载板包括至少一激光凹槽,该激光凹槽与该振膜位置相对且被该MEMS芯片完全封闭;该凹槽面向该激光凹槽,该凹槽与该激光凹槽结合构成该MEMS麦克风封装结构的背腔,该背腔为封闭式背腔。

2.如权利要求1所述的MEMS麦克风封装结构,其特征在于,该封装载板还包括一第一介电层、分别形成在该第一介电层相背两表面上的一第一导电线路层和一第二导电线路层、一形成在该第一导电线路层的远离该第一介电层表面上的第二介电层、一形成在该第二导电线路层的远离该第一介电层表面上的第三介电层、一形成在该第二介电层的远离该第一导电线路层的表面上的第三导电线路层及一形成在该第三介电层的远离该第二导电线路层的表面上的第四导电线路层,该激光凹槽贯穿该第三导电线路层、该第二介电层、该第一导电线路层、该第一介电层及该第二导电线路层。

3.如权利要求2所述的MEMS麦克风封装结构,其特征在于,该第三导电线路层包括至少一第一电接触垫及至少一第二电接触垫,该第一电接触垫及该第二电接触垫分布在该激光凹槽的两侧;该MEMS芯片通过至少一胶层粘结在该第一电接触垫及该第二电接触垫上。

4.如权利要求2所述的MEMS麦克风封装结构,其特征在于,该ASIC芯片通过一胶层粘结在该封装载板上,该ASIC芯片通过一金属线电连接该第三导电线路层,该MEMS芯片通过一金属线与该ASIC芯片电性连接。

5.如权利要求1所述的MEMS麦克风封装结构,其特征在于,该麦克风外壳上设置有一音孔。

6.一种MEMS麦克风封装结构的制作方法,包括步骤:

提供一封装载板,并在该封装载板上通过激光形成至少一激光凹槽;

提供至少一MEMS芯片及至少一ASIC芯片,并将该MEMS芯片形成在该封装载板上且将该ASIC芯片形成在该封装载板上;该MEMS芯片包括一振膜及一与该振膜相背的凹槽,该凹槽面向该激光凹槽,该凹槽与该激光凹槽结合构成该MEMS麦克风封装结构的背腔,该背腔为一个封闭式背腔;及

提供一麦克风外壳,并将该麦克风外壳形成在该封装载板上,该封装载板与该麦克风外壳结合形成一收容腔,该MEMS芯片及该ASIC芯片均收容在该收容腔内且与该封装载板电性连接。

7.如权利要求6所述的MEMS麦克风封装结构的制作方法,其特征在于,该封装载板还包括一第一介电层、分别形成在该第一介电层相背两表面上的一第一导电线路层和一第二导电线路层、一形成在该第一导电线路层的远离该第一介电层表面上的第二介电层、一形成在该第二导电线路层的远离该第一介电层表面上的第三介电层、一形成在该第二介电层的远离该第一导电线路层的表面上的第三导电线路层及一形成在该第三介电层的远离该第二导电线路层的表面上的第四导电线路层,该激光凹槽贯穿该第三导电线路层、该第二介电层、该第一导电线路层、该第一介电层及该第二导电线路层。

8.如权利要求6所述的MEMS麦克风封装结构的制作方法,其特征在于,该激光凹槽的制作方法,包括如下步骤:

通过激光制程在该封装载板上形成至少一激光凹槽;

在该激光凹槽的内壁上电镀一镀铜层;及

对该激光凹槽进行表面处理。

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