[发明专利]一种晶圆传片结构在审
| 申请号： | 201611247974.5 | 申请日： | 2016-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN108257901A | 公开（公告）日： | 2018-07-06 |
| 发明（设计）人： | 赵旭良 | 申请（专利权）人： | 上海新昇半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/677 | 分类号： | H01L21/677 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 201306 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 晶圆 升降针 片结构 通孔 上下活动 承载面 种晶 形貌 底部连接 顶部结构 基座表面 晶圆背面 开孔位置 热传导 升降轴 硅片 使用率 良率 背面 承载 穿过 改良 生产 | ||
1.一种晶圆传片结构，其特征在于，包括：
基座，所述基座表面设有承载晶圆的承载面，在所述承载面边缘设有通孔；
升降针，穿过所述基座的通孔，并经由所述通孔上下活动；
升降轴，与所述升降针的底部连接，带动所述升降针上下活动。
2.根据权利要求1所述的晶圆传片结构，其特征在于：所述升降针的顶部设有两个交接的倾斜面。
3.根据权利要求2所述的晶圆传片结构，其特征在于：所述两个交接的倾斜面之间的夹角为钝角。
4.根据权利要求2所述的晶圆传片结构，其特征在于：所述升降针的针体为非圆柱型。
5.根据权利要求2所述的晶圆传片结构，其特征在于：所述升降针的针体为椭圆柱型。
6.根据权利要求2所述的晶圆传片结构，其特征在于：所述通孔包括收容所述升降针顶部的顶部空间以及嵌套所述升降针针体的孔体。
7.根据权利要求4所述的晶圆传片结构，其特征在于：所述通孔的孔体为配合所述升降针针体的非圆柱型。
8.根据权利要求5所述的晶圆传片结构，其特征在于：所述通孔的孔体为配合所述升降针针体的椭圆柱型。
9.根据权利要求1所述的晶圆传片结构，其特征在于：所述升降针的数量为三个，配合所述升降针的通孔的数量也为三个，所述升降针及所述通孔均匀地分布在所述承载面的边缘。
10.根据权利要求9所述的晶圆传片结构，其特征在于：所述承载面为圆形，三个所述通孔均匀分布在所述承载面边缘的圆周上，将所述圆周分为三个120度的圆弧。
11.根据权利要求1所述的晶圆传片结构，其特征在于：所述基座下方设有基座支撑针、以及与所述基座支撑针连接的基座支撑轴，所述基座支撑轴带动所述基座支撑针使所述基座上下活动。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
