[发明专利]一种晶圆传片结构

说明书

本发明提供一种晶圆传片结构，包括：基座，所述基座表面设有承载晶圆的承载面，在所述承载面边缘设有通孔；升降针，穿过所述基座的通孔，并经由所述通孔上下活动；升降轴，与所述升降针的底部连接，带动所述升降针上下活动。本发明的晶圆传片结构将传统设置于晶圆下方的升降针设置到晶圆的边缘，并改良升降针的顶部结构，减少晶圆与升降针的接触面积，不会在晶圆背面留下任何痕迹，不会破坏硅片的背面形貌，由于基座上的开孔位置移到了晶圆的边缘，即使在热传导的性能上不能很均匀，但是只会影响最边缘的部分，能够让晶圆的使用率更高，从而可提高生产良率。

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，特别是涉及一种晶圆传片结构。

背景技术

在半导体外延工艺中，通常是将硅片放置于石英腔体内部的基座(susceptor)上以对其进行外延生长。在此过程中，温度的控制要求十分严格。硅片的受热方式一般都是采用加热基座(susceptor)传导热量至硅片。所以针对基座(susceptor)的形状有着很严格的要求。

目前在腔室(chamber)内的传片基本采用升降针(Pin)的方式，通过升降针(pin)的托举将硅片从机械设备(robot)上放置于基座(susceptor)上，继而进行反应。所以避免不了会在基座(susceptor)上进行开孔，以便于升降针(pin)的上下活动。然而，基座(susceptor)上开孔会严重影响基座(susceptor)对硅片的均匀导热性，继而会影响在升降针(pin)区域的外延层(EPI)的质量，在硅片背面也容易留下升降针(pin)的痕迹。

因此，实有必要对传统的硅片传片方式进行改良，避免升降针对的EPI层质量及硅片背面形貌的影响。

发明内容

鉴于以上所述现有技术，本发明的目的在于提供一种晶圆传片结构，用于解决现有技术中硅片传片方式影响EPI层质量及硅片背面形貌的问题。

为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种晶圆传片结构，包括：

基座，所述基座表面设有承载晶圆的承载面，在所述承载面边缘设有通孔；

升降针，穿过所述基座的通孔，并经由所述通孔上下活动；

升降轴，与所述升降针的底部连接，带动所述升降针上下活动。

可选地，所述升降针的顶部设有两个交接的倾斜面。

进一步可选地，所述两个交接的倾斜面之间的夹角为钝角。

进一步可选地，所述升降针的针体为非圆柱型。

进一步可选地，所述升降针的针体为椭圆柱型。

进一步可选地，所述通孔包括收容所述升降针顶部的顶部空间以及嵌套所述升降针针体的孔体。

进一步可选地，所述通孔的孔体为配合所述升降针针体的非圆柱型。

进一步可选地，所述通孔的孔体为配合所述升降针针体的椭圆柱型。

可选地，所述升降针的数量为三个，配合所述升降针的通孔的数量也为三个，所述升降针及所述通孔均匀地分布在所述承载面的边缘。

进一步可选地，所述承载面为圆形，三个所述通孔均匀分布在所述承载面边缘的圆周上，将所述圆周分为三个120度的圆弧。

可选地，所述基座下方设有基座支撑针、以及与所述基座支撑针连接的基座支撑轴，所述基座支撑轴带动所述基座支撑针使所述基座上下活动。

如上所述，本发明的晶圆传片结构，具有以下有益效果：