[发明专利]半导体器件及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体器件，其特征在于，包括：

基底以及位于所述基底上的层间介质层，所述基底包括相邻接的NMOS区以及PMOS区，所述NMOS区具有N型器件，所述PMOS区具有P型器件，所述PMOS区包括与所述NMOS区相邻接的第一P区以及与所述第一P区相邻接的第二P区；

贯穿所述层间介质层的栅极，所述栅极分为：位于所述NMOS区基底上的N区栅极，位于所述第一P区基底上且与所述N区栅极相连通的第一栅极，以及位于所述第二P区基底上且与所述第一栅极相连通的第二栅极；所述N区栅极指向第二栅极的方向为栅极延伸方向，在垂直于所述栅极延伸方向上，所述第一栅极的宽度尺寸大于所述第二栅极的宽度尺寸；

位于所述N区栅极相对两侧的基底内的N型源漏掺杂区；

位于所述第二栅极相对两侧的基底内的P型源漏掺杂区；

其中，所述栅极包括：位于所述NMOS区和PMOS区基底上、以及所述层间介质层侧壁上的栅介质层；位于所述第一P区和第二P区的栅介质层上的P型功函数层；位于所述NMOS区的栅介质层上、以及所述P型功函数层上的N型功函数层；位于所述NMOS区的N型功函数层上的栅电极层，且所述栅电极层还位于所述第一P区的N型功函数层上。

2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述栅电极层顶部与位于NMOS区的层间介质层侧壁上的N型功函数层顶部齐平。

3.如权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述栅电极层顶部还与位于第一P区的层间介质层侧壁上的N型功函数层顶部齐平。

4.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，在垂直于所述栅极延伸方向上，所述N区栅极的宽度尺寸等于所述第二栅极的宽度尺寸。

5.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，在垂直于所述栅极延伸方向上，所述第一栅极的宽度尺寸大于所述N区栅极的宽度尺寸。

6.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，在垂直于所述栅极延伸方向上，所述第一栅极的宽度尺寸与所述第二栅极的宽度尺寸之差为1nm～5nm。

7.如权利要求1或5所述的半导体器件，其特征在于，在平行于所述栅极延伸方向上，所述第一栅极的长度尺寸为3nm～5nm。

8.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述N区栅极分为：与所述第一栅极相连通的第三栅极、以及与所述第三栅极相连通的第四栅极，所述N型源漏掺杂区位于所述第四栅极相对两侧的基底内；其中，在垂直于所述栅极延伸方向上，所述第三栅极的宽度尺寸大于所述第四栅极的宽度尺寸。

9.如权利要求8所述的半导体器件，其特征在于，在垂直于所述栅极延伸方向上，所述第四栅极的宽度尺寸等于所述第二栅极的宽度尺寸。

10.如权利要求8所述的半导体器件，其特征在于，在垂直于所述栅极延伸方向上，所述第三栅极的宽度尺寸等于所述第一栅极的宽度尺寸。

11.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件还包括：位于所述NMOS区、第一P区以及第二P区的栅介质层上的阻挡层，其中，所述P型功函数层位于所述第一P区以及第二P区的阻挡层上。

12.如权利要求11所述的半导体器件，其特征在于，所述阻挡层的材料为TiN或者TaN。

13.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，在平行于所述基底表面方向上，所述栅极的剖面形状为十字型。

14.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述基底包括衬底以及凸出于所述衬底上的鳍部。