[发明专利]栅极驱动单元及其制作方法、栅极驱动电路有效
| 申请号： | 201611253204.1 | 申请日： | 2016-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN106653687B | 公开（公告）日： | 2019-09-10 |
| 发明（设计）人： | 徐向阳 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/77 | 分类号： | H01L21/77;H01L27/12;G09G3/36 |
| 代理公司： | 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 44304 | 代理人： | 孙伟峰 |
| 地址： | 518132 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 栅极 驱动 单元 及其 制作方法 电路 | ||
1.一种用于制作栅极驱动单元的方法，其特征在于，包括图案化第二金属层，具体包括：
在所述第二金属层上形成光阻层；
利用半色调掩膜版对所述光阻层进行曝光和显影；
判断是否执行烧光阻步骤；
在判断出执行烧光阻步骤时，采用烧光阻工艺去除光阻层上对应所述半色调掩膜版的半透光区域的光阻，采用蚀刻工艺蚀刻掉所述第二金属层上未被光阻覆盖的金属，并灰化剩余光阻，得到第一金属图案；
在判断出不执行烧光阻步骤时，采用蚀刻工艺蚀刻掉所述第二金属层上未被光阻覆盖的金属，并灰化剩余光阻，得到第二金属图案。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一/二金属图案包括所述栅极驱动单元中开关元件的漏极和源极。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一/二金属图案包括所述栅极驱动单元中电容的一个极板。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一/二金属图案包括所述栅极驱动单元中开关元件的漏极和源极，以及所述栅极驱动单元中电容的一个电极。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的方法，其特征在于，所述烧光阻工艺包括氧等离子体烧光阻工艺。
6.根据权利要求1至4中任一项所述的方法，其特征在于，所述半色调掩膜版被配置为调整所述栅极驱动单元中开关元件的宽长比，和/或，调整所述栅极驱动单元中电容的极板的重叠面积。
7.根据权利要求1至4中任一项所述的方法，其特征在于，还包括：
提供衬底基板；
在所述衬底基板上形成第一金属层，并使所述第一金属层包括所述栅极驱动单元中开关元件的栅极；
在所述第一金属层上形成栅极绝缘层；
在所述栅极绝缘层上形成半导体层；
在所述半导体层上形成所述第二金属层。
8.根据权利要求1至4中任一项所述的方法，其特征在于，所述第二金属层的材料为：
铜、铝、钼；或者
由铜、铝和钼中的两种或三种制成的合金。
9.一种采用如权利要求1至8中任一项所述的制作方法制作的栅极驱动单元。
10.一种栅极驱动电路，包括多个如权利要求9所述的栅极驱动单元，其中每个栅极驱动单元被配置成驱动与其相对应的扫描线。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市华星光电技术有限公司，未经深圳市华星光电技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201611253204.1/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板、显示设备
- 下一篇：盒子(变二代)
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
