[发明专利]栅极驱动单元及其制作方法、栅极驱动电路有效
申请号: | 201611253204.1 | 申请日: | 2016-12-30 |
公开(公告)号: | CN106653687B | 公开(公告)日: | 2019-09-10 |
发明(设计)人: | 徐向阳 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/77 | 分类号: | H01L21/77;H01L27/12;G09G3/36 |
代理公司: | 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 44304 | 代理人: | 孙伟峰 |
地址: | 518132 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 栅极 驱动 单元 及其 制作方法 电路 | ||
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种栅极驱动单元及其制作方法、栅极驱动电路。
背景技术
随着液晶显示技术的发展,高分辨率、高对比度、高刷新速率、窄边框、薄型化已成为液晶显示器的发展趋势。因此,如何实现液晶面板的窄边框、薄型化和低成本变得越来越重要。在这样的背景下,阵列基板行驱动(GOA,Gate Driver on Array)技术以其低成本、低功耗和窄边框等优点得到了广泛的应用。
阵列基板行驱动技术是将液晶面板的栅极驱动电路集成在阵列基板上,形成对液晶面板的行扫描驱动。其中,阵列基板行驱动单元是由若干个薄膜晶体管(TFT,Thin Film Transistor)开关和若干个电容构成的。不同的阵列基板行驱动单元的具体结构一般不同。因此现有技术中,每制作一种阵列基板行驱动单元就需要一套光罩,从而导致产品开发成本非常高。
针对于此,如何通过一套光罩制作出不同需求的阵列基板行驱动单元,进而降低产品开发成本乃业界所致力的课题之一。
发明内容
针对上述技术问题,本发明提出了一种用于制作栅极驱动单元的方法、栅极驱动单元和栅极驱动电路,用以实现两种不同的栅极驱动单元共用一套光罩的设计。
根据本发明的第一个方面,提供了一种用于制作栅极驱动单元的方法,其包括图案化第二金属层,具体包括:
在所述第二金属层上形成光阻层;
利用半色调掩膜版对所述光阻层进行曝光和显影;
判断是否执行烧光阻步骤;
在判断出执行烧光阻步骤时,采用烧光阻工艺去除光阻层上对应所述半色调掩膜版的半透光区域的光阻,采用蚀刻工艺蚀刻掉所述第二金属层上未被光阻覆盖的金属,并灰化剩余光阻,得到第一金属图案;
在判断出不执行烧光阻步骤时,采用蚀刻工艺蚀刻掉所述第二金属层上未被光阻覆盖的金属,并灰化剩余光阻,得到第二金属图案。
根据本发明的实施例,所述第一/二金属图案包括所述栅极驱动单元中开关元件的漏极和源极。
根据本发明的实施例,所述第一/二金属图案包括所述栅极驱动单元中电容的一个极板。
根据本发明的实施例,所述第一/二金属图案包括所述栅极驱动单元中开关元件的漏极和源极,以及所述栅极驱动单元中电容的一个电极。
根据本发明的实施例,所述烧光阻工艺包括氧等离子体烧光阻工艺。
根据本发明的实施例,所述半色调掩膜版被配置为调整所述栅极驱动单元中开关元件的宽长比,和/或,调整所述栅极驱动单元中电容的极板的重叠面积。
进一步地,所述方法还包括:
提供衬底基板;
在所述衬底基板上形成第一金属层,并使所述第一金属层包括所述栅极驱动单元中开关元件的栅极;
在所述第一金属层上形成栅极绝缘层;
在所述栅极绝缘层上形成半导体层;
在所述半导体层上形成所述第二金属层。
根据本发明的实施例,所述第二金属层的材料为:
铜、铝、钼;或者
由铜、铝和钼中的两种或三种制成的合金。
根据本发明的第二个方面,还提供了一种采用以上所述的制作方法制作的栅极驱动单元。
根据本发明的第三个方面,还提供了一种栅极驱动电路,包括多个上述所述的栅极驱动单元,其中每个栅极驱动单元被配置成驱动与其相对应的扫描线。
与现有技术相比,本发明的一个或多个实施例可以具有如下优点:
本发明在栅极驱动单元的制作工艺中,将第二金属层的光罩设计成半色调掩膜版结构,然后通过是否进行烧光阻工艺来控制薄膜晶体管开关的宽度或者电容的重叠面积,从而能够实现两种不同的栅极驱动电路共用一套光罩的设计,进而降低产品的开发成本。
本发明的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述,并且,部分地从说明书中变得显而易见,或者通过实施本发明而了解。本发明的目的和其他优点可通过在说明书、权利要求书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。
附图说明
附图用来提供对本发明的进一步理解,并且构成说明书的一部分,与本发明的实施例共同用于解释本发明,并不构成对本发明的限制。在附图中:
图1是本发明的实施例中制作栅极驱动单元的方法的流程图;
图2是本发明的实施例中图案化第二金属层的方法的流程图;
图3是本发明的实施例中包括第一金属图案的栅极驱动单元的局部示意图;
图4是本发明的实施例中包括第二金属图案的栅极驱动单元的局部示意图;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造