[发明专利]一种高纯氮化铈粉体及其制备方法和应用有效
申请号: | 201611256476.7 | 申请日: | 2016-12-30 |
公开(公告)号: | CN106629634B | 公开(公告)日: | 2018-09-11 |
发明(设计)人: | 杨志平;路亚娟;刘通;赵金鑫 | 申请(专利权)人: | 河北利福光电技术有限公司 |
主分类号: | C01B21/06 | 分类号: | C01B21/06 |
代理公司: | 石家庄国域专利商标事务所有限公司 13112 | 代理人: | 苏艳肃 |
地址: | 071000 *** | 国省代码: | 河北;13 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 高纯 氮化 铈粉体 及其 制备 方法 应用 | ||
1.一种高纯氮化铈粉体的制备方法,其特征是,包含如下步骤:
a、将Ce粉进行液相球磨处理,所用液体介质为去离子水、有机溶剂、稀碱性溶液中的一种,液相球磨后Ce粉的粒度为1.5µm ~2.5µm;
b、按照比例称取Ce粉和助剂A、C、添加剂B为原料,其中A为NH4Cl和NH4F中的至少一种,B为CeN,C为无水CeCl3,且各原料质量比为Ce粉∶A=80∶20~95∶5,Ce粉∶(B+C)=80∶20~95∶5,B∶C=50∶50~20∶80;
c、将步骤b中所称取的Ce粉和助剂A混合均匀,并置于坩埚中;
d、在H2反应气氛下以5~10℃/min的速率升温至300~500℃,保温2~5h,然后以5~10℃/min的速率降温至200℃,再自然降至室温,得到一次烧结产物;
e、将一次烧结产物充分研磨,并与步骤b中称取的添加剂B和助剂C混合均匀,置于坩埚中;
f、在N2 或NH3或N2和NH3的混合气氛下以5~10℃/min的速率升温至800~1200℃,并保温4~10h,然后以5~10℃/min的速率降温至200℃,再自然降至室温,得到二次烧结产物;
g、将二次烧结产物研磨、过筛后得到高纯CeN粉体。
2.根据权利要求1所述的高纯氮化铈粉体的制备方法,其特征是,步骤a中,将Ce粉和无水乙醇在无氧环境中按固液比为1g∶5ml混合,然后在球磨机上球磨6h,自然干燥后待用。
3.根据权利要求1所述的高纯氮化铈粉体的制备方法,其特征是,步骤b中,添加剂B为N含量大于9wt%的CeN。
4.根据权利要求1所述的高纯氮化铈粉体的制备方法,其特征是,步骤f中,所述N2和NH3的混合气氛为N2 和NH3以体积比为N2∶NH3=20∶80~90∶10混合。
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