[发明专利]用于屏蔽光罩的设备有效
申请号: | 201611257096.5 | 申请日: | 2016-12-30 |
公开(公告)号: | CN107015441B | 公开(公告)日: | 2020-08-14 |
发明(设计)人: | 郑文豪;游秋山;吴小真 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | G03F7/20 | 分类号: | G03F7/20 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 路勇 |
地址: | 中国台湾新竹市*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 屏蔽 设备 | ||
1.一种用于屏蔽光罩的设备,其包括场产生器,经配置以产生场屏蔽以保护光罩免于外来粒子污染,其特征在于:其中所述场产生器包括多个磁性组件,每一磁性组件是永久性磁铁且包括产生磁场的磁性北极和磁性南极,所述磁场是所述场屏蔽的部分,所述多个磁性组件的第一磁性组件的磁性北极与磁性南极定义第一极性方向,所述多个磁性组件的第二磁性组件的磁性北极与磁性南极定义第二极性方向,所述第一极性方向与所述第二极性方向相反且皆垂直于所述光罩的背侧,所述光罩具有垂直于所述背侧的左侧与右侧,所述左侧相对于所述右侧,且所述第一磁性组件与所述第二磁性组件分别设置于所述光罩的垂直于所述背侧的所述左侧与所述右侧。
2.根据权利要求1所述的设备,其中所述场产生器经配置以使得靠近所述光罩的粒子被所述场屏蔽铁磁性地、抗磁性地或顺磁性地磁化,而使得所述粒子远离所述光罩。
3.根据权利要求1所述的设备,其中所述场产生器经配置以使得所述场屏蔽使靠近所述光罩的粒子极化或离子化。
4.根据权利要求3所述的设备,其中所述场产生器经配置还产生电场。
5.根据权利要求1所述的设备,其中所述光罩包括在第一侧上的图案化层,且所述场屏蔽实质上分布在所述第一侧上方。
6.根据权利要求5所述的设备,其中所述光罩包括与所述第一侧相对的第二侧,且所述场产生器经配置以产生靠近所述第二侧的可忽略场。
7.根据权利要求1所述的设备,其中所述光罩经配置以反射紫外光及转换预定图案。
8.根据权利要求1所述的设备,其进一步包括经配置以供给电力给所述场产生器的电连接或电力存储单元。
9.一种用于光罩屏蔽的设备,所述设备包括:
光罩;
第一磁场产生器,其设置于所述光罩的前侧且围绕所述光罩,所述第一磁场产生器包括多个磁铁,每一磁铁包括磁性北极和磁性南极经配置以产生第一磁场环绕所述光罩,其中所述第一磁场产生器的每一磁铁的所述磁性北极和所述磁性南极定义第一极性方向,所述第一极性方向平行于所述光罩的背侧,且所述第一磁场产生器包括围住且暴露所述光罩的框边阵列;及
第二磁场产生器,其设置于所述光罩的所述背侧,包括多个磁铁,每一磁铁包括磁性北极和磁性南极经配置以产生不同于所述第一磁场的第二磁场,其中所述第二磁场产生器的至少一个所述多个磁铁的所述磁性北极和所述磁性南极定义第二极性方向,所述第二极性方向实质上垂直于所述光罩的所述背侧。
10.根据权利要求9所述的设备,其中所述光罩包括衬底及在所述衬底上方的图案化层,且所述第一磁场和所述第二磁场实质上在所述图案化层上方。
11.根据权利要求9所述的设备,其中所述第一磁场产生器的所述多个磁铁形成第一磁铁阵列且产生所述第一磁场,且所述第二磁场产生器的多个磁铁形成第二磁铁阵列且产生所述第二磁场。
12.根据权利要求11所述的设备,其中所述第二磁铁阵列面对所述光罩的所述背侧。
13.根据权利要求11所述的设备,其中所述第二磁场产生器的所述多个磁铁中的至少一个包括顶部表面及底部表面,所述顶部表面大于所述底部表面。
14.根据权利要求11所述的设备,其中从剖面视角,所述第二磁场产生器的所述多个磁铁中的至少一个包括梯形形状。
15.根据权利要求9所述的设备,其中所述第一磁场产生器经配置以产生指向第三极性方向的第一分量场,及指向与所述第三极性方向相对的第四极性方向的第二分量场。
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