[发明专利]用于屏蔽光罩的设备

说明书

本揭露提供一种用于屏蔽光罩的设备。所述设备包括场产生器，用以产生场屏蔽以保护光罩免于外来粒子的污染。

技术领域

本发明实施例涉及用于屏蔽光罩的设备。

背景技术

硅芯片或晶片的制造典型涉及无数的加工步骤，诸如光刻。在光刻中，沉积有光致抗蚀剂的晶片表面透过图案化光罩暴露于辐射源。为了将光罩的图案投影到晶片上，辐射源，诸如紫外光，沿着辐射路径行进且入射在图案化光罩上或从图案化光罩反射出。接着晶片经历显影及蚀刻制程，以去除不想要的部分同时在其上留下光罩所定义的图案。

随着产业持续降低装置大小的趋势，晶片上的线宽被缩小并且装置计数相应地增加。一方面，光罩图案的保真度要求越来越严格。另一方面，将光罩图案图像无错误转换到晶片上也在决定最终半导体产品质量上扮演重要角色。结果，围绕图案化光罩的洁净环境是必须的。此外，重要的是保持光罩的操作表面远离否则可能阻碍辐射行进路径或使光罩表面粗糙的外来粒子或污染物，而使得没有缺陷会发生，诸如不想要的开路或闭路。因此，需要用于光罩的有效屏蔽机制。

发明内容

本揭露提供一种设备。所述设备包括场产生器，用以产生场屏蔽以保护光罩免于外来粒子的污染。

本揭露提供一种用于屏蔽光罩的设备。所述设备包括光罩及围绕所述光罩的磁场产生器。所述磁场产生器用以在所述光罩上方产生磁场。

本揭露提供一种用于屏蔽光罩的设备。所述设备包括光罩及围绕所述光罩的电场产生器。所述电场产生器用以在所述光罩上方产生电场。

附图说明

本揭露的方面将在与随附图式一同阅读下列详细说明下被最佳理解。请注意，根据业界标准作法，各种特征未依比例绘制。事实上，为了使讨论内容清楚，各种特征的尺寸可刻意放大或缩小。

图1是根据本揭露的一些实施例的光罩屏蔽设备的示意图。

图2A至2D是根据本揭露的一些实施例的图1中光罩屏蔽设备的场产生器的示意图。

图3是根据本揭露的一些实施例的光罩屏蔽设备的示意图。

图4A及4B是根据本揭露的一些实施例的图3中光罩屏蔽设备的场产生器的示意图。

图5是根据本揭露的一些实施例的光罩屏蔽设备的示意图。

图6是根据本揭露的一些实施例的光罩屏蔽设备的示意图。

图7是根据本揭露的一些实施例的光罩屏蔽设备的示意图。

图8是根据本揭露的一些实施例的系统的示意图。

图9A及9B是根据本揭露的一些实施例的图8中系统的遮光器的示意图。

具体实施方式

下列揭露提供许多用于实施所提供目标的不同特征的不同实施例、或实例。为了简化本揭露，下文描述件及布置的具体实例。当然这些仅为实例而非意图为限制性。例如，在下面说明中，形成第一特征在第二特征上方或上可包含其中第一及第二特征经形成为直接接触的实施例，以及也可包含其中额外特征可形成在第一与第二特征之间而使得第一及第二特征不可直接接触的实施例。此外，本揭露可在各种实例中重复参考编号及/或字母。此重复是为了简单与清楚的目的且其本身并不决定所讨论的各种实施例及/或构形之间的关系。

再者，空间相关词汇，诸如“在...之下”、“下面”、“下”、“上面”、“上”和相似词汇，可为了使说明书便于描述如图式绘示的一个组件或特征与另一个(或多个)组件或特征的相对关系而使用于本文中。除了图式中所画的方位外，这些空间相对词汇也意图用来涵盖装置在使用中或操作时的不同方位。所述设备可以其它方式定向(旋转90度或在其它方位)，据此在本文中所使用的这些空间相关说明符可以相似方式加以解释。