[发明专利]发光装置在审
| 申请号： | 201611258525.0 | 申请日： | 2016-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN108269932A | 公开（公告）日： | 2018-07-10 |
| 发明（设计）人： | 刘荣辉;刘元红;马小乐;邵冷冷;李彦峰;陈晓霞 | 申请（专利权）人： | 有研稀土新材料股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/50 | 分类号： | H01L51/50;H01L51/54 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 赵囡囡;梁文惠 |
| 地址： | 100088 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 发光装置 发光材料 有机配合物 稀土离子 发光元件 转化 出光稳定性 发射峰位置 三脚架配体 大环配体 发光效率 发光性能 二次光 高波长 类配体 量子点 四吡咯 一次光 峰宽 可调 可控 卤代 敏化 卟啉 转换 吸收 申请 应用 | ||
1.一种发光装置，包括发光元件(2)和光转化部分(3)，所述光转化部分(3)吸收发光元件(2)发出的一次光并将其转换为更高波长的二次光，所述光转化部分(3)含有发光材料，其特征在于，所述发光材料包括有机配合物，所述有机配合物是由四吡咯大环配体A、稀土离子Ln以及氘代或卤代的三脚架配体B组成。
2.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，所述稀土离子Ln选自Yb、Nd、Er、Pr、Tm和Ho中的一种或多种，所述有机配合物具有如下三明治夹心结构：
3.根据权利要求1或2所述的发光装置，其特征在于，所述四吡咯大环配体A为卟啉；优选所述四吡咯大环配体A为具有通式I的卟啉，
其中，为X为氘或氟，R为氟代苯环。
4.根据权利要求1或2所述的发光装置，其特征在于，所述稀土离子Ln选自Yb、Nd、Er和Pr中的一种或多种。
5.根据权利要求1或2所述的发光装置，其特征在于，所述氘代或卤代的三脚架配体B为氘代或卤代的三脚架配体和/或氘代或卤代的Tp三脚架配体。
6.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，所述发光元件(2)的发射波长范围为360～480nm。
7.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，所述发光元件(2)为发射波长范围介于390～430nm的紫光/近紫外光半导体芯片。
8.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，所述发光元件(2)为发射波长范围介于430～470nm的蓝光半导体芯片。
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