[发明专利]发光装置在审
申请号: | 201611258525.0 | 申请日: | 2016-12-30 |
公开(公告)号: | CN108269932A | 公开(公告)日: | 2018-07-10 |
发明(设计)人: | 刘荣辉;刘元红;马小乐;邵冷冷;李彦峰;陈晓霞 | 申请(专利权)人: | 有研稀土新材料股份有限公司 |
主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50;H01L51/54 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 赵囡囡;梁文惠 |
地址: | 100088 *** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 发光装置 发光材料 有机配合物 稀土离子 发光元件 转化 出光稳定性 发射峰位置 三脚架配体 大环配体 发光效率 发光性能 二次光 高波长 类配体 量子点 四吡咯 一次光 峰宽 可调 可控 卤代 敏化 卟啉 转换 吸收 申请 应用 | ||
本发明提供了一种发光装置。该发光装置包括发光元件和光转化部分,光转化部分吸收发光元件发出的一次光并将其转换为更高波长的二次光,光转化部分含有发光材料,发光材料包括有机配合物,有机配合物是由四吡咯大环配体A、稀土离子Ln以及氘代或卤代的三脚架配体B组成。本申请的发光材料中的有机配合物的卟啉类配体具有很高的敏化效率(70%~100%)、外量子点效率和出光稳定性。该发光材料应用至发光装置中时,提高发光装置的发光效率和稳定性。另外,选用不同稀土离子或稀土离子组合可以实现发射峰位置、峰宽的可调可控,以改善其发光性能。
技术领域
本发明涉及发光材料领域,具体而言,涉及一种发光装置。
背景技术
近红外区是指波长700nm~1500nm范围波谱,该波段波谱在光纤通讯、生物成像、信号转换放大和成分分析领域具有很好的应用前景,在国内外引起广泛的关注。
现有近红外发光装置中存在所使用的红外芯片激发效率低,成本高。使用紫光/近紫外光、蓝光芯片复合稀土发光材料进而转化产生近红外发光,可以大大降低成本。现有近红外发光材料主要是为光致发光的过渡金属或稀土金属的氧化物,或电致发光的有机配合物(Chem.–Eur.J.,2012,18,1961–1968;Adv.Mater.,2009,21,111–116;Chem.Commun.,2011,14,1833–1837;Adv.Funct.Mater.,2009,19,2639–2647),目前限制近红外发光材料应用的主要问题是其发光效率低、稳定性差,导致发光装置的发光效率低,稳定性差。
发明内容
本发明的主要目的在于提供一种发光装置,以解决现有技术中的发光装置的发光效率低、稳定性差的问题。
为了实现上述目的,根据本发明的一个方面,提供了一种发光装置,包括发光元件和光转化部分,光转化部分吸收发光元件发出的一次光并将其转换为更高波长的二次光,光转化部分含有发光材料,发光材料包括有机配合物,有机配合物是由四吡咯大环配体A、稀土离子Ln以及氘代或卤代的三脚架配体B组成。
进一步地,上述稀土离子Ln选自Yb、Nd、Er、Pr、Tm和Ho中的一种或多种,有机配合物具有如下三明治夹心结构:
进一步地,上述四吡咯大环配体A为卟啉;优选四吡咯大环配体A为具有通式I的卟啉,
通式I,其中,X为氘或氟,R为氟代苯环。
进一步地,上述稀土离子Ln选自Yb、Nd、Er和Pr中的一种或多种。
进一步地,上述氘代或卤代的三脚架配体B为氘代或卤代的三脚架配体和/或氘代或卤代的Tp三脚架配体。
进一步地,上述发光元件的发射波长范围为360~480nm。
进一步地,上述发光元件为发射波长范围介于390~430nm的紫光/近紫外光半导体芯片.
进一步地,上述发光元件为发射波长范围介于430~470nm的蓝光半导体芯片。
应用本发明的技术方案,本申请的发光材料中的有机配合物的卟啉类配体具有很高的敏化效率(70%~100%),同时卤代三脚架配体或氘代的三脚架配体所形成的缺少碳氢键的配位环境最大程度上的减少了非辐射跃迁过程,因此,能够使得该有机配合物的外量子点效率和出光稳定性得到提高。该发光材料应用至发光装置中时,能够充分发挥其外量子效率高和发光寿命高的优势,进而提高发光装置的发光效率和稳定性。另外,选用不同稀土离子或稀土离子组合可以实现发射峰位置、峰宽的可调可控,以改善其发光性能。基于上述特点,该发光装置在光纤通讯、生物成像、信号转换放大和成分分析领域具有很好的应用前景。
附图说明
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于有研稀土新材料股份有限公司,未经有研稀土新材料股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201611258525.0/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择