[发明专利]用于X射线检测器的阵列基板以及包括其的X射线检测器有效
申请号: | 201611260048.1 | 申请日: | 2016-12-30 |
公开(公告)号: | CN107068646B | 公开(公告)日: | 2019-09-13 |
发明(设计)人: | 尹载皓;姜汶秀;李在光;朴时亨 | 申请(专利权)人: | 乐金显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;G01T1/24 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 蔡胜有;董文国 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 基板 第一区 数据线 相邻数据线 阵列基板 焊盘区 上表面 接触基板 绝缘膜 有机层 短路 延伸 源区 切割 团聚 | ||
1.一种用于X射线检测器的阵列基板,所述阵列基板具有焊盘区和有源区,所述焊盘区包括:
基板,所述基板具有第一区和从所述第一区延伸的第二区,其中所述第一区为所述焊盘区的最外部分并且包括所述基板的切割部分;
在所述第一区接触所述基板的上表面并且从所述第一区朝向所述第二区延伸的多条数据线,
其中所述多条数据线的相邻数据线彼此间隔开,所述基板的所述上表面的一部分在所述第一区中的所述相邻数据线之间露出;以及
设置在所述第二区中的所述数据线与所述基板之间的第一绝缘膜。
2.根据权利要求1所述的阵列基板,还包括:
设置在所述基板的所述第二区中的所述数据线上的第二绝缘膜。
3.根据权利要求1所述的阵列基板,其中所述第一绝缘膜包括多个绝缘层。
4.根据权利要求1所述的阵列基板,其中所述数据线的上表面在所述基板的所述第一区中露出。
5.根据权利要求1所述的阵列基板,其中在所述第一区中的所述数据线未被绝缘层覆盖。
6.根据权利要求1所述的阵列基板,其中所述基板的所述上表面在所述第一区中被所述数据线覆盖。
7.根据权利要求1所述的阵列基板,其中所述基板的所述上表面在所述第一区中露出。
8.根据权利要求1所述的阵列基板,其中在所述第一区中的所述数据线具有从所述基板到所述数据线的上表面的垂直高度,所述垂直高度与所述第二区域中的所述数据线的垂直高度不同。
9.根据权利要求2所述的阵列基板,其中所述第二绝缘膜的底表面接触设置在所述基板的所述第二区中的所述相邻数据线之间的所述第一绝缘膜的上表面。
10.一种用于X射线检测器的阵列基板的焊盘部,包括:
彼此相邻并且限定在基板中的第一区和第二区,其中所述第一区是在所述阵列基板上完成阵列测试之后执行基板切割工艺的区域;
在所述基板上并且从所述第一区延伸至所述第二区的多条数据线,所述多条数据线具有彼此间隔开的相邻数据线,所述基板的上表面的一部分在所述第一区处的所述相邻数据线之间露出;以及
在所述第二区处的所述数据线与所述基板之间的第一绝缘膜,
其中所述多条数据线在所述第一区接触所述基板的上表面。
11.根据权利要求10所述的焊盘部,还包括:设置在所述基板的所述第二区处的所述数据线上的第二绝缘膜。
12.根据权利要求10所述的焊盘部,其中所述第一绝缘膜包括绝缘层的堆叠体。
13.根据权利要求10所述的焊盘部,其中所述数据线的上表面在所述第一区处露出。
14.根据权利要求10所述的焊盘部,其中所述基板的所述上表面在所述第一区处被所述数据线覆盖。
15.根据权利要求10所述的焊盘部,其中所述基板的所述上表面在所述第一区处露出。
16.根据权利要求10所述的焊盘部,其中所述基板的所述上表面未被绝缘层覆盖。
17.根据权利要求10所述的焊盘部,其中在所述第一区处的所述数据线具有从所述基板到所述数据线的上表面的垂直高度,所述垂直高度与所述第二区域处的所述数据线的垂直高度不同。
18.根据权利要求11所述的焊盘部,其中所述第二绝缘膜接触设置在所述第二区中的所述相邻数据线之间的所述第一绝缘膜。
19.一种X射线检测器,包括:
阵列基板,所述阵列基板包括:
焊盘区,所述焊盘区具有彼此相邻并且限定在基板中的第一区和第二区,其中所述第一区是在所述阵列基板完成阵列测试之后执行基板切割工艺的区域;
在所述基板上并且从所述第一区延伸至所述第二区的多条数据线,所述多条数据线具有彼此间隔开的相邻数据线,所述基板的上表面的一部分在所述第一区处的所述相邻数据线之间露出;以及
在所述第二区处的所述数据线与所述基板之间的第一绝缘膜;以及
有源区,所述有源区包括:各自设置在相应像素区中并且将光电信号转换成电信号的多个光检测器、以及执行开关操作以驱动所述多个光检测器的多个薄膜晶体管,
其中所述多条数据线在所述第一区接触所述基板的上表面。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的