[发明专利]用于X射线检测器的阵列基板以及包括其的X射线检测器有效
申请号: | 201611260048.1 | 申请日: | 2016-12-30 |
公开(公告)号: | CN107068646B | 公开(公告)日: | 2019-09-13 |
发明(设计)人: | 尹载皓;姜汶秀;李在光;朴时亨 | 申请(专利权)人: | 乐金显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;G01T1/24 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 蔡胜有;董文国 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 基板 第一区 数据线 相邻数据线 阵列基板 焊盘区 上表面 接触基板 绝缘膜 有机层 短路 延伸 源区 切割 团聚 | ||
本公开涉及用于X射线检测器的阵列基板以及包括其的X射线检测器。阵列基板限定为有源区和焊盘区,其中焊盘区包括:基板,该基板包括第一区和从第一区延伸的第二区;以及接触基板的上表面并且从第一区朝向第二区延伸的多条数据线,多条数据线的相邻数据线彼此间隔开,基板的上表面在基板的第一区中的相邻数据线之间的区域露出;以及在基板与基板的第二区中的数据线之间设置有第一绝缘膜,从而防止切割期间由于数据线与有机层之间的团聚而导致相邻数据线之间的短路。
技术领域
本公开涉及用于X射线检测器的阵列基板以及包括该阵列基板的X射线检测器,更具体地,涉及用于防止在切割工艺期间由于信号线和有机层的团聚而在相邻信号线之间造成的短路的用于X射线检测器的阵列基板以及包括该阵列基板的X射线检测器。
背景技术
已广泛地用于医疗诊断的X射线检测方法需要X射线感测胶片和胶片打印时间以获得结果。
然而,近来,由于半导体技术的发展,已经研究和开发了使用薄膜晶体管(TFT)的数字X射线检测器。
数字X射线检测器通过利用TFT作为开关装置有利地在拍摄X射线之后立即实时地诊断结果。
通常,在数字X射线检测器中使用两种不同类型:直接型DXD方法和间接型DXD方法。直接型DXD方法通过由TFT的像素电极从硒层接收的尽可能多的电荷来检测电流,并且使用包括堆叠在TFT阵列基板上的非晶Se层以及在非晶Se层上形成的透明电极的结构来执行信号处理工序。间接型DXD方法通过PIN二极管将可见射线转换成电信号,并且当通过闪烁体将X射线转换成可见射线时执行一系列信号处理工序。
为了提高X射线检测器的品质,必须进行阵列测试。在这方面,阵列测试是在完成TFT阵列工艺之后在执行液晶填充工艺之前检验TFT阵列状态中的电故障、应变和其他损坏部分的工艺。因此,需要阵列测试,这是因为当母板尺寸变更大时,阵列测试可以降低用于损坏的额外成本。
通过进行阵列测试,可以确定诸如信号线的短路或开路的缺陷是否发生,因此可以避免缺陷产品。此外,可以提高制造收率和产量,并且可以节省制造的总成本。
通常,如图1所示,面板外的信号线1连接至TFT信号线2,以将用于阵列测试的电信号施加至面板。在执行阵列测试之后,通过激光切割面板端部,并且释放产品。然而,存在的问题是,在有机层熔化并粘在一起并且信号线中的金属成分可能在有机绝缘层中团聚时,出现相邻信号线之间的短路,因此需要对这种问题的解决方案。
发明内容
因此,本公开涉及X射线检测器的阵列基板以及包括该阵列基板的X射线检测器,其基本上消除了由于现有技术的限制和缺点而造成的一个或更多个问题。
本公开的一个目的是提供用于防止在切割工艺期间由于数据线与有机层之间的团聚而造成相邻数据线之间的短路缺陷的阵列基板。
此外,本公开提供包括该阵列基板的X射线检测器。
本公开的目的不限于上述目的,而可以由本领域技术人员根据以下描述意识到其他目的和优点。此外,可容易理解的是,可以通过在所附权利要求和所附权利要求的组合中记载的装置来实践本公开的目的和优点。
根据本公开的一个方面,提供一种用于X射线检测器的阵列基板,该阵列基板限定为有源区和焊盘区(在本公开中,“焊盘区”也称为“焊盘部”,其实际上可包括设置在该区域中的各构件),该阵列基板包括:基板,该基板包括第一区和从第一区延伸的第二区;以及接触基板的上表面并且从第一区朝向第二区延伸的多条数据线,其中多条数据线的相邻数据线彼此间隔开,基板的上表面在基板的第一区中的相邻数据线之间的区域中露出;以及设置在基板与基板的第二区中的数据线之间的第一绝缘膜。
阵列基板还可以包括设置在基板的第二区中的数据线上的第二绝缘层。在这种情况下,第二绝缘膜的底表面接触第一绝缘膜的上表面。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的