[发明专利]一种新型WLP封装结构及其制作方法

权利要求书

1.一种新型WLP封装结构，包括：硅衬底(10)，所述硅衬底包括位于底部的无线路层(101)和位于无线路层(101)上的蚀刻电路层(102)，所述蚀刻电路层(102)上设有焊盘(20)，其特征在于：所述无线路层(101)的底部设有保护层(30)，所述硅衬底(10)的外表面设有绝缘层(40)，所述绝缘层(40)上设有凹槽，所述焊盘(20)分别位于所述凹槽内，所述焊盘(20)均与所述硅衬底(10)的表面相接触。

2.一种新型WLP封装结构的制作方法，其特征在于：包括以下步骤：

S101、提供未封装的晶圆结构，所述晶圆结构由多个一体成型的单元晶圆构成，所述单元晶圆包括硅衬底(10)，所述硅衬底(10)包括位于底部的无线路层(101)和位于无线路层(101)上的蚀刻电路层(102)，所述蚀刻电路层(102)上设有焊盘(20)；

S102、在两两相邻的单元晶圆之间的硅衬底(10)上形成沟槽(50)；

S103、在所述沟槽(50)内填充绝缘物(60)，在裸露的硅衬底(10)上形成绝缘层(40)；

S104、从硅衬底(10)的背面对无线路层(101)进行减薄；

S105、在减薄后的无线路层(101)的底部形成保护层(30)；

S106、以所述沟槽(50)为分界线，将两两相邻的单元晶圆进行分离。

3.根据权利要求2所述的一种新型WLP封装结构的制作方法，其特征在于：步骤S102中，所述在两两相邻的单元晶圆之间的硅衬底(10)上形成沟槽(50)，具体包括：

用切割工具从所述晶圆结构的正面垂直切入硅衬底(10)中，在两两相邻的单元晶圆之间的硅衬底(10)上形成沟槽(50)。

4.根据权利要求2所述的一种新型WLP封装结构的制作方法，其特征在于：步骤S103中，所述在所述沟槽(50)内填充绝缘物(60)，在裸露的硅衬底(10)上形成绝缘层(40)，具体包括：

在所述沟槽(50)内和所述硅衬底(10)上填充绝缘物(60)，然后对硅衬底(10)上的绝缘物(60)进行打磨，露出焊盘(20)。

5.根据权利要求2所述的一种新型WLP封装结构的制作方法，其特征在于：步骤S104中，所述从硅衬底(10)的背面对无线路层(101)进行减薄，具体包括：

从硅衬底(10)的背面对无线路层(101)进行磨划，减薄至需要的厚度。

6.根据权利要求2所述的一种新型WLP封装结构的制作方法，其特征在于：步骤S106中，所述以所述沟槽(50)为分界线，将两两相邻的单元晶圆进行分离，具体包括：

沿着竖直方向，采用切割工具，以所述沟槽(50)为分界线，将两两相邻的单元晶圆进行分离。