[发明专利]一种新型WLP封装结构及其制作方法

说明书

本发明属于WLP封装结构的技术领域，具体涉及一种新型WLP封装结构及其制作方法；解决的技术问题为：提供一种产品结构和制作工艺更简单、产品尺寸更小、成本更低的新型WLP封装结构及其制作方法；采用的技术方案为：一种新型WLP封装结构，包括：硅衬底，所述硅衬底包括位于底部的无线路层和位于无线路层上的蚀刻电路层，所述蚀刻电路层上设有焊盘，所述无线路层的底部设有保护层，所述硅衬底的外表面设有绝缘层，所述绝缘层上设有凹槽，所述焊盘分别位于所述凹槽内，所述焊盘均与所述硅衬底的表面相接触；本发明适用于WLP封装领域。

技术领域

本发明属于WLP封装结构的技术领域，具体涉及一种新型WLP封装结构及其制作方法。

背景技术

目前，电子产品在高密度、高性能、高可靠性、低成本的发展趋势下，不断向微型化、密间距发展，封装采用元器件尺寸和可靠性也提出越来越高的要求。目前常规小尺寸器件(如0201、01005产品)大都采用传统的leadframe工艺，其生产成本较高、效率低，产品价格和尺寸难以进一步压缩。

发明内容

本发明克服现有技术存在的不足，所要解决的技术问题为：提供一种产品结构和制作工艺更简单、产品尺寸更小、成本更低的新型WLP封装结构及其制作方法。

为了解决上述技术问题，本发明采用的技术方案为：一种新型WLP封装结构，包括：硅衬底，所述硅衬底包括位于底部的无线路层和位于无线路层上的蚀刻电路层，所述蚀刻电路层上设有焊盘，所述无线路层的底部设有保护层，所述硅衬底的外表面设有绝缘层，所述绝缘层上设有凹槽，所述焊盘分别位于所述凹槽内，所述焊盘均与所述硅衬底的表面相接触。

相应地，一种新型WLP封装结构的制作方法，包括以下步骤：S101、提供未封装的晶圆结构，所述晶圆结构由多个一体成型的单元晶圆构成，所述单元晶圆包括硅衬底，所述硅衬底包括位于底部的无线路层和位于无线路层上的蚀刻电路层，所述蚀刻电路层上设有焊盘；S102、在两两相邻的单元晶圆之间的硅衬底上形成沟槽；S103、在所述沟槽内填充绝缘物，在裸露的硅衬底上形成绝缘层；S104、从硅衬底的背面对无线路层进行减薄；S105、在减薄后的无线路层的底部形成保护层；S106、以所述沟槽为分界线，将两两相邻的单元晶圆进行分离。

优选地，步骤S102中，所述在两两相邻的单元晶圆之间的硅衬底上形成沟槽，具体包括：用切割工具从所述晶圆结构的正面垂直切入硅衬底中，在两两相邻的单元晶圆之间的硅衬底上形成沟槽。

优选地，步骤S103中，所述在所述沟槽内填充绝缘物，在裸露的硅衬底上形成绝缘层，具体包括：在所述沟槽内和所述硅衬底上填充绝缘物，然后对硅衬底上的绝缘物进行打磨，露出焊盘。

优选地，步骤S104中，所述从硅衬底的背面对无线路层进行减薄，具体包括：从硅衬底的背面对无线路层进行磨划，减薄至需要的厚度。

优选地，步骤S106中，所述以所述沟槽为分界线，将两两相邻的单元晶圆进行分离，具体包括：沿着竖直方向，采用切割工具，以所述沟槽为分界线，将两两相邻的单元晶圆进行分离。

本发明与现有技术相比具有以下有益效果：首先，本发明简化掉了传统工艺的复杂的贴片或引线键合等流程，提高了效率和良品率，节省了成本损耗；其次，在较低成本和设备投入下，提升了器件的加工尺寸能力，能生产更小的器件(如01005)，更好满足市场需求；最后，本发明的结构相比于传统工艺结构更为简单，具有更优异可靠性；

附图说明

下面结合附图对本发明做进一步详细的说明；

图1为本发明实施例一提供的一种新型WLP封装结构的结构示意图；

图2至图7为本发明实施例一提供的一种新型WLP封装结构的制作方法的示意图；