[发明专利]一种高密度测试芯片及其测试系统及其测试方法

权利要求书

1.一种高密度测试芯片，其特征在于，包括外围电路、若干个待测器件以及若干个焊盘，所述外围电路包括行寻址电路、列寻址电路、开关电路和地址寄存器，所述地址寄存器包括计数器，地址寄存器输入端连接焊盘RST、焊盘SEN、焊盘SI、焊盘AEN和焊盘CLK，焊盘SO连接地址寄存器的输出端，地址寄存器的输出端还连接行寻址电路和列寻址电路，行寻址电路和列寻址电路都通过开关电路连接待测器件，开关电路还连接焊盘BF、焊盘SF、焊盘GF、焊盘GL、焊盘DF和焊盘DL；焊盘VDD连接电源正极，焊盘VSS连接电源负极。

2.根据权利要求1所述的一种高密度测试芯片，其特征在于，所述计数器至少为两个，所述地址寄存器还连接焊盘SEL。

3.根据权利要求1或2所述的一种高密度测试芯片，其特征在于，所述计数器为同步计数器或异步计数器。

4.根据权利要求1所述的一种高密度测试芯片，其特征在于，开关电路包括若干个传输门和若干个阵列使能控制电路，待测器件为晶体管，若干个晶体管按矩阵排布形成测试阵列，若干个测试块按矩阵排布形成测试区；

测试阵列内连接结构如下：同一行晶体管的B端共接到一个BF传输门的输出端，每个BF传输门的输入端都连接焊盘BF；同一行晶体管的S端共接到一个SF传输门的输出端，每个SF传输门的输入端都连接焊盘SF；同一行晶体管的G端共接到一个GF传输门的输出端和一个GL传输门的输出端，每个GF传输门的输入端都连接焊盘GF,每个GL传输门的输入端都连接焊盘GL；同一列晶体管的D端共接到一个DF传输门的输出端和一个DL传输门的输出端，每个DF传输门的输入端都连接焊盘DF,每个DL传输门的输入端都连接焊盘DL；阵列使能控制电路的输入端连接行寻址电路和列寻址电路，阵列使能控制电路的行输出端经由缓冲器连接BF传输门的控制端、GF传输门的控制端、GL传输门的控制端和SF传输门的控制端，阵列使能控制电路的列输出端经由缓冲器连接DF传输门的控制端和DL传输门的控制端，阵列使能控制电路的控制端通过阵列选择信号连接地址寄存器。

5.根据权利要求1或4所述的一种高密度测试芯片，其特征在于，待测器件中包含若干个已知位置的异常待测器件。

6.一种高密度测试芯片测试系统，其特征在于，包括测试机和高密度测试芯片；

所述高密度测试芯片包括外围电路、若干个待测器件以及若干个焊盘，所述外围电路包括行寻址电路、列寻址电路、开关电路和地址寄存器，地址寄存器输入端连接焊盘RST、焊盘SEN、焊盘SI、焊盘AEN和焊盘CLK，焊盘SO连接地址寄存器的输出端，地址寄存器的输出端还连接行寻址电路和列寻址电路，行寻址电路和列寻址电路都通过开关电路连接待测器件，开关电路还连接焊盘BF、焊盘SF、焊盘GF、焊盘GL、焊盘DF和焊盘DL；焊盘VDD连接电源正极，焊盘VSS连接电源负极；

所述测试机包括函数发生器、线上分析引擎、数据库和至少两个源测量单元；第一个源测量单元连接焊盘VDD和焊盘VSS；第二个源测量单元连接焊盘BF、焊盘SF、焊盘GF、焊盘GL、焊盘DF和焊盘DL；函数发生器连接地址寄存器；线上分析引擎连接数据库、函数发生器和源测量单元。

7.根据权利要求6所述的一种高密度测试芯片测试系统，其特征在于，所述第二个源测量单元包括至少一个数据存储器。

8.一种高密度测试芯片测试系统的测试方法，基于权利要求7所述高密度测试芯片测试系统，其特征在于，当扫描使能信号SEN＝1时，测试系统进行连续扫描测试，地址寄存器具有移位寄存器的功能，时钟信号每变换一次波形，地址寄存器中的地址位移动到下一个地址位；当扫描使能信号SEN＝0时，测试系统进行选择测试，地址寄存器具有计数器的功能，时钟信号每变换一次波形，地址寄存器选中下一个地址位。