[发明专利]半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，包括衬底、衬底上的多晶硅层、第一金属层以及第二金属层，所述第一金属层通过第一接触孔内的金属塞连接下方的所述多晶硅层，其特征在于，还包括设于所述第二金属层和多晶硅层之间的金属屏蔽层，所述第二金属层在所述半导体器件中的高度大于所述金属屏蔽层在所述半导体器件中的高度，所述金属屏蔽层通过第二接触孔内的金属塞连接下方的所述衬底，所述金属屏蔽层用于对所述第二金属层产生的电场进行屏蔽以减少所述电场对所述多晶硅层的影响，所述金属屏蔽层包括横向的屏蔽段和纵向的接触孔引出段，所述第二接触孔是连通至所述接触孔引出段。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述多晶硅层为高阻多晶硅。

3.根据权利要求1或2所述的半导体器件，其特征在于，所述第一金属层和第二金属层为金属连线层。

4.根据权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，所述第二金属层的设计工作电压大于所述第一金属层的设计工作电压。

5.根据权利要求1或2所述的半导体器件，其特征在于，所述第一金属层和金属屏蔽层为同一步骤中制造形成。

6.根据权利要求5所述的半导体器件，其特征在于，所述第一接触孔内的金属塞和第二接触孔内的金属塞为同一步骤中制造形成。

7.根据权利要求1或2所述的半导体器件，其特征在于，所述第二金属层在所述衬底表面的正投影与所述金属屏蔽层在所述衬底表面的正投影形成交叉和部分重叠。

8.根据权利要求1或2所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件包括有源区和隔离区，所述多晶硅层位于所述隔离区。

9.根据权利要求8所述的半导体器件，其特征在于，所述隔离区包括浅沟槽隔离结构，所述多晶硅层设于所述浅沟槽隔离结构的氧化层表面。

10.根据权利要求1或2所述的半导体器件，其特征在于，所述多晶硅层包括多晶硅条，所述多晶硅条的宽度小于所述金属屏蔽层的宽度，所述金属屏蔽层在所述衬底表面的正投影能够在宽度方向上完全覆盖所述多晶硅条。