[发明专利]LED封装制作工艺

说明书

技术领域

本发明涉及一种半导体封装结构，尤其涉及一种LED封装制作工艺。

背景技术

相比于传统的发光源，发光二极管(Light Emitting Diode，LED)具有重量轻、体积小、节能环保、发光效率高等优点，其作为一种新型的发光源，已经被越来越多地广泛应用于指示、显示、装饰、背光源、普通照明和城市夜景等领域。

现有的发光LED封装结构通常将封装胶体跟荧光粉混合，然后对芯片及导线进行封装。然而，由于封装胶体体积较大，如果都使用混合了荧光粉的胶体进行封装，容易导致浪费荧光粉并且使得荧光粉分布不均匀，容易出现出光不均匀等情况，导良品率低。

发明内容

基于此，本发明提供一种制作简单、良品率高的LED封装制作工艺。

为了实现本发明的目的，本发明采用以下技术方案：

一种LED封装制作工艺，包括以下步骤：

步骤1，提供一陶瓷基板；

步骤2：提供若干芯片，均匀间隔放置在陶瓷基板上；

步骤3：提供一预制式荧光膜片，覆盖在所述芯片上；所述预制式荧光膜片的制作方法包括：

步骤31：分别制作透光胶及荧光粉胶；

步骤32：在钢板或者玻璃作为载体涂一层透光胶，在85℃下烘烤45～70分钟，形成透光胶层；

步骤33：在上述透光胶层上涂一层荧光粉胶，在85℃下烘烤55～65分钟，形成荧光粉胶层；

步骤34：在上述荧光粉胶层上重复步骤32的动作形成透光胶层，如此类推，一层透光胶层一层荧光粉胶层地交替堆叠，直至达到所需厚度；

步骤35：完成上述透光胶层及荧光粉胶层的堆叠后，对堆叠后的组合在温度170°-220°下加热20分钟固化，得出所需的预制式荧光膜片；

步骤4：切割出LED封装颗粒。

在其中一个实施例中，所述步骤32及步骤33中，所述透光胶层的厚度为0.01～0.04mm，所述荧光粉胶层的厚度为0.01～0.04mm；所述步骤3中，预制式荧光膜片的厚度为0.11～0.65mm。

在其中一个实施例中，所述步骤31中，所述透光胶由酚醛树脂、偶氮基萘醌和乙酸丙二醇单甲基醚酯按照浓度配比30:10:60比例混合溶解均匀后，形成胶体再与硅胶混合而成。

在其中一个实施例中，所述荧光粉胶由将硅胶与荧光粉按照质量比1:2的比例混合成。

在其中一个实施例中，所述透光胶由AB硅胶按照1：1的比例混合而成

在其中一个实施例中，所述荧光粉胶由将硅胶与荧光粉按照质量比1:2的比例混合成。

本发明的LED封装制作工艺通过荧光膜片覆盖芯片的方式，避免了对整个封装体进行荧光粉混合处理，而荧光膜片单独制作可以有效地保证了荧光膜片的品质，提高了LED封装结构的光学性能。

附图说明

图1为本发明的LED封装制作工艺的过程中的陶瓷基板放置芯片后的剖视结构示意图。

图2为本发明的LED封装制作工艺的过程中的预制式荧光膜片的剖视结构示意图。

图3为本发明的LED封装制作工艺的过程中的陶瓷基板及芯片上放置预制式荧光膜片的剖视结构示意图。

图4为本发明的LED封装制作工艺制作完成的LED封装结构的剖视结构示意图。

具体实施方式

为了便于理解本发明，下面将对本发明进行更全面的描述。但是，本发明可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使对本发明的公开内容的理解更加透彻全面。

除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本发明的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本发明的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本发明。

请参阅图1至图4，为本发明一较佳实施方式的LED封装制作工艺，包括以下步骤：

步骤1，提供一陶瓷基板10；该陶瓷基板10为大面积陶瓷基板，用于一次性制作多个LED封装结构；

步骤2：提供若干芯片20，均匀间隔放置在陶瓷基板10上；在本实施例中，所述芯片20呈矩形设置，该芯片20的电极位于相对两侧；

步骤3：提供一预制式荧光膜片30，覆盖在所述芯片20上；预制式荧光膜片30的厚度为0.11～0.65mm；

该步骤3中，所述预制式荧光膜片30的制作方法包括：