[实用新型]检测电路结构、阵列基板及显示面板

说明书

技术领域

本实用新型涉及显示技术领域，尤其涉及一种检测电路结构、阵列基板及 显示面板。

背景技术

在薄膜晶体管液晶显示器的制作过程中，为了检测显示区域的像素单元中 各像素单元的子像素能否正常工作，需要在阵列基板的周边区域制作检测电路。

如图1所示，阵列基板上的检测电路一般包括在衬底基板上相互绝缘且横 纵交叉设置的多个待检测走线1和多个信号通入走线2，其中所述信号通入走 线2用于对所述待检测走线1输入检测信号，且所述多个待检测走线1与所述 多个信号通入走线2在垂直于所述衬底基板的方向上具有重合区域3。

所述信号通入走线2与所述待检测走线之间可以通过连接线4进行连接， 其中，所述连接线4的一端通过第一过孔11与所述待检测走线1连接；所述 连接线4的另一端在重合区域通过第二过孔21与所述信号通入走线2；且所 述第二过孔21位于与所述第一过孔11距离最近的重合区域3。

这样由于第一过孔11和第二过孔21距离较近，在制作连接线4时，例如， 沉积氧化铟锡(ITO)作为连接线4时，ITO爬坡处膜质差，有电流通过时， 容易发生ITO烧断的现象，导致检测失效。具体的测试方法可以将信号源的针 脚插入上述过孔处进行检测。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种检测电路结构、阵列基板及显示面板，能 够解决上述连接线(ITO)爬坡处膜质差，易烧断的现象。

本实用新型实施例中所提供的技术方案如下：

一种检测电路结构，包括在衬底基板上设置的多个待检测走线和用于向所 述待检测走线输入检测信号的多个信号通入走线，多个待检测走线和多个信号 通入走线相互绝缘且交叉布置；

每一所述信号通入走线上包括断开的至少两个子走线，且每一所述信号通 入走线的各子走线之间的断开区域对应有待检测走线，每一所述信号通入走线 上的各子走线之间通过连接线进行连接，且各子走线之间的断开区域所对应的 待检测走线与所述连接线之间形成第一重合区域；

其中所述连接线的两端分别通过第一过孔和第二过孔与所述信号通入走 线连接，并通过第三过孔在所述第一重合区域与所述待检测走线连接。

进一步的，所述信号通入走线与所述待检测走线之间交叉布置而形成多个 第二重合区域，其中所述第一过孔和所述第二过孔位于所述第二重合区域。

进一步的，不同所述信号通入走线上的断开区域错开设置，每一所述信号 通入走线与对应的所述待检测走线通过所述连接线连接。

进一步的，所述连接线设置于所述信号通入走线的远离所述待检测走线的 一侧。

进一步的，所述连接线与所述信号通入走线的之间设有绝缘层。

进一步的，所述多个待检测走线沿第一方向平行设置；所述多个信号 通入走线沿第二方向平行设置；所述第一方向和所述第二方向相互垂直。

进一步的，所述待检测走线包括栅线。

进一步的，所述连接线由沉积在衬底基板上的氧化铟锡层形成。

一种阵列基板，包括如上所述的检测电路结构。

一种显示面板，包括如上所述的阵列基板。

本实用新型的有益效果如下：

本实用新型提供的检测电路结构、阵列基板及显示面板，增加了过孔之间 的距离，在制作连接线时，例如，沉积氧化铟锡(ITO)作为连接线时，使得 ITO爬坡处膜质比较好，有电流通过时，不容易发生ITO烧断的现象，导致检 测失效。

附图说明

图1为现有技术中检测电路的连接线在过孔处俯视示意图；

图2为本实用新型实施例中提供的一种检测电路的俯视示意图。

具体实施方式

以下结合附图对本实用新型的原理和特征进行描述，所举实例只用于解释 本实用新型，并非用于限定本实用新型的范围。

针对现有技术中阵列基板上的检测电路上过孔设计间距过小，导致ITO 爬坡处膜质差，有电流通过时，容易发生ITO烧断的现象，而导致检测失效的 问题，本实用新型提供了一种检测电路结构，增加了过孔之间的距离，在制作 连接线时，例如，沉积氧化铟锡(ITO)作为连接线时，使得ITO爬坡处膜质 比较好，有电流通过时，不容易发生ITO烧断的现象。

如图2所示，本实用新型实施例中所提供的检测电路结构包括：