[实用新型]含粒子的双面ITO导电膜有效
申请号: | 201620047214.9 | 申请日: | 2016-01-16 |
公开(公告)号: | CN205384883U | 公开(公告)日: | 2016-07-13 |
发明(设计)人: | 胡文玮 | 申请(专利权)人: | 汕头万顺包装材料股份有限公司;汕头万顺包装材料股份有限公司光电薄膜分公司 |
主分类号: | H01B5/14 | 分类号: | H01B5/14;G06F3/041 |
代理公司: | 广州市深研专利事务所 44229 | 代理人: | 张喜安 |
地址: | 515078 广东省*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 粒子 双面 ito 导电 | ||
1.一种含粒子的双面ITO导电膜,包括基材层,其特征在于:基材层两面依序为光学调整硬涂层、光学调整层、ITO导电层,其中,基材厚度介于23um至250um之间,光学调整硬涂层中添加有机或无机粒子,光学调整硬涂层的厚度为500nm至15um之间,光学调整硬涂层的折射率介于1.6至1.7之间,ITO导电层厚度小于40nm,双面光学调整层与双面ITO导电层的总厚度小于120nm。
2.根据权利要求1所述的含粒子的双面ITO导电膜,其特征在于:所述双面光学调整层与双面ITO导电层的总厚度小于100nm。
3.根据权利要求1所述的含粒子的双面ITO导电膜,其特征在于:在双面皆含有ITO导电层的情况下,色差b*值小于4.5。
4.根据权利要求1所述的含粒子的双面ITO导电膜,其特征在于:所述光学调整硬涂层的铅笔硬度为F以上。
5.根据权利要求1所述的含粒子的双面ITO导电膜,其特征在于:所述光学调整硬涂层与光学调整层间添加有密著层。
6.根据权利要求1所述的含粒子的双面ITO导电膜,其特征在于:所述光学调整硬涂层折射率优选为1.65-1.7,厚度优选为1-10um,光学调整层厚度优选为20-30nm,ITO导电层厚度优选为20-25nm。
7.根据权利要求6所述的含粒子的双面ITO导电膜,其特征在于:所述光学调整硬涂层厚度优选为1-5um。
8.根据权利要求1所述的含粒子的双面ITO导电膜,其特征在于:所述光学调整硬涂层折射率为1.65,厚度为1um,光学调整层厚度为20nm,ITO导电层厚度为20nm。
9.根据权利要求1所述的含粒子的双面ITO导电膜,其特征在于:所述粒子的直径为500nm至10um之间。
10.根据权利要求9所述的含粒子的双面ITO导电膜,其特征在于:所述粒子的直径为500nm至5um之间。
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