[实用新型]V法铸造用薄膜加热装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及铸造领域。更具体地，本实用新型涉及V法铸造用薄膜加热装置。

背景技术

V法铸造为负压铸造或称真空密封造型的一种方法，其工艺特点在于对砂型进行覆膜并对覆膜后的砂型进行抽真空从而达到使砂型成型的目的。其中，在对砂型进行覆膜处理之前必须要先对薄膜进行加热，其目的在于使薄膜软化从而具有如下优点：提高薄膜的塑性，使其具有更高的延伸性；以及消除薄膜的张力，以避免薄膜经受不住高温浇注而产生不期望的收缩。

对薄膜加热程度的准确判断决定了加热后的薄膜是否具备上述优点。加热时间不足会影响薄膜质量，严重时需要重新覆膜。而若加热时间过度，不仅有可能局部损毁薄膜还浪费了时间和能源。

薄膜在被加热的过程中会依据其具体形态而呈现三种状态：第一个状态为加热开始时，薄膜膨胀产生波动收缩，随之形成许多波纹；随着加热的深入，第二个状态为波纹消失而薄膜呈现出类镜面的状态继而开始发亮；第三个状态是薄膜被过度加热而开始出现孔洞。根据经验，在第二个状态中薄膜开始发亮的时间点是覆膜的最佳时机，一旦错过，薄膜会马上出现孔洞继而无法使用。然而，由于最佳覆膜的时间点持续的时间非常短，人工很难及时把握；并且，由于孔洞出现初期形成的是微小孔洞，人工很难轻易察觉。因此，人共判断加热时间的办法不够精确和有效。

另一种普遍采用的方法是预先设定加热时间。然而，薄膜的重量、厚度和尺寸等参数、甚至外部环境和加热的气温条件都会影响薄膜被加热的程度，这导致单纯地依靠设定的时间也无法有效和准确地判断覆膜的最佳时机。

因此，现有技术中需要一种能够较准确地识别薄膜加热程度的薄膜加热装置，其能够在精确的时间点上停止对薄膜进行加热，以克服人工识别的主观性和时间控制的不确定性。

实用新型内容

根据本实用新型提供了一种V法铸造用薄膜加热装置，其包括：用于吸附薄膜的薄膜吸附支架；用于对所述薄膜进行加热的加热元件；以及加热度探测装置；其中，所述加热度探测装置包括位于所述薄膜下方且相对地设置在所述薄膜两侧的第一探测器和第二探测器。

进一步的，所述薄膜为EVA薄膜。

进一步的，所述第一探测器和所述第二探测器位于同一水平面上，且所述水平面与未被加热的所述薄膜之间的距离为所述薄膜被加热的刚好时下垂的距离。

进一步的，所述第一探测器是能够发射光信号的光电传感器。

进一步的，所述第二探测器为能够接收所述光信号并将其反射回所述第一探测器的反射板。

进一步的，所述加热元件为红外线加热管。

进一步的，所述红外线加热管为多个。

进一步的，所述加热元件上方还安装有一罩体。

进一步的，该装置还包括控制器，所述控制器在所述第一探测器没有接收到所述第二探测器反射回的光信号后被启动以控制所述薄膜吸附支架进行升降运动。

进一步的，所述控制器为PLC控制器。

相较于现有技术，根据本实用新型可有效和精确地控制加热时间，且结构简单，具有广泛的通用性；因而既提高了使用便利性，也提高了铸造效率，进而降低生产成本。

附图说明

图1是根据本实用新型一个实施例的V法铸造用薄膜加热装置的示意图。

具体实施方式

如下，结合附图及优选实施例对根据本实用新型实施例的V法铸造用吸膜架做更详细地描述。

图1示出了根据本实用新型一个实施例的抽V法铸造用薄膜加热装置的示意图。如图1所示，该薄膜加热装置10包括薄膜吸附支架100、加热元件200以及加热度探测装置300。

薄膜吸附支架100构造为将薄膜20在加热环境中以利加热元件200对其进行加热。优选的，加热元件200为红外线加热管，该加热管具有一定的功率，并设置1个或1个以上。加热元件200的上方还有一罩体1。

更具体地，加热度探测装置300包括位于薄膜20下方且包括设置在薄膜20相对侧的第一探测器301和第二探测器302。第一探测器301和第二探测器302基本位于同一水平面上。优选地，第一探测器301为能够发射光信号的光电传感器，第二探测器302为能够接收该光信号并将其反射回第一探测器301的反射板。

在加热过程中，第一探测器301不断向第二探测器302发射光信号，第二探测器302也会随之将其接收到的光信号返回给第一探测器301（如虚线箭头所示）。