[实用新型]一种太阳能电池片工艺用的反应腔的腔体结构有效
申请号: | 201620070162.7 | 申请日: | 2016-01-21 |
公开(公告)号: | CN205355018U | 公开(公告)日: | 2016-06-29 |
发明(设计)人: | 张俞 | 申请(专利权)人: | 张俞 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L31/18 |
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地址: | 226314 江苏省常*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 太阳能电池 工艺 反应 结构 | ||
技术领域
本实用新型涉及太阳能电池片(包括薄膜太阳能电池)制造装备、等离子刻蚀、真空反应腔密闭技术领域,尤其是一种太阳能电池片工艺用的反应腔的腔体结构。
背景技术
在传统的太阳能电池片工艺用的反应腔的腔体内,反应气体会对不锈钢腔体刻蚀;从而降低了不锈钢腔体的使用寿命,增加生产成本;另外,传统的太阳能电池片工艺用的反应腔的腔体内是一个整体,不能够拆卸,对腔体内壁进行清理时及其不方便,或者被刻蚀的箱体内壁不能够进行更换,整个箱体结构报废,浪费资源;腔体内的正负离子不能按设计理想方向流动,拆装不方便,不能有效阻挡高能粒子对涂层的轰击,不能保证腔体内反应环境不受金属离子污染。
实用新型内容
现有技术难以满足人们的需要,为了解决上述存在的问题,本实用新型提出了一种太阳能电池片工艺用的反应腔的腔体结构。
为实现该技术目的,本实用新型采用的技术方案是:一种太阳能电池片工艺用的反应腔的腔体结构,包括腔体;
所述腔体由不锈钢板材、氧化铝镀层、铝板和陶瓷片组成;不锈钢板材表面喷涂有氧化铝镀层,所述氧化铝镀层表面覆盖可拆卸铝板和陶瓷片,所述铝板和陶瓷片通过铝合金紧固件固定在氧化铝镀层上;
所述腔体的上端开设有工艺化学气体入口和电性连接有RF射频电源,在腔体的上方内壁上固定有等离子喷射器,所述等离子喷射器的下方设置有导电载板,在所述导电载板与等离子喷射器之间设置有等离子体,导电载板的上表面设置有刻蚀片,导电载板的底面电性连接有RF射频直流电源,所述RF射频直流电源的另一端接地;在所述腔体的底面的左端连接有真空泵。
进一步,所述铝板和陶瓷片内部嵌入铝合金板。
进一步,所述RF射频电源的另一端接有电容,通过电容接地。
进一步,所述腔体的底面连接有接地线。
进一步,所述不锈钢板材为奥氏体不锈钢材料制成。
与现有技术相比,本实用新型具有以下有益效果:在氧化铝陶瓷板内部嵌入铝合金板,能让腔体内的正负离子按设计理想方向流动,拆装方便,氧化铝陶瓷板能有效阻挡高能粒子对涂层的轰击,保证腔体内反应环境不受金属离子污染。该太阳能电池片工艺用的反应腔的腔体结构实用性强,易于推广使用。
附图说明
图1为本实用新型的整体结构示意图;
图2为本实用新型的腔体结构示意图;
图3为本实用新型的腔体放大图;
附图标记中:1-工艺化学气体入口、2-离子喷射器、3-腔体、31-不锈钢板材、32-氧化铝镀层、33-铝板、331-铝合金紧固件、34-陶瓷片、4-RF射频电源、5-RF射频直流电源、6-等离子体、7-真空泵、8-导电载板、9-刻蚀片。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图,对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例,都属于本实用新型保护的范围。
请参阅说明书附图1-3,在本实用新型实施例中,一种太阳能电池片工艺用的反应腔的腔体结构,包括腔体3;
所述腔体3由不锈钢板材31、氧化铝镀层32、铝板33和陶瓷片34组成;不锈钢板材31表面喷涂有氧化铝镀层32,所述氧化铝镀层32表面覆盖可拆卸铝板33和陶瓷片34,所述铝板33和陶瓷片34通过铝合金紧固件331固定在氧化铝镀层32上;
所述腔体3的上端开设有工艺化学气体入口1和电性连接有RF射频电源4,在腔体3的上方内壁上固定有等离子喷射器2,所述等离子喷射器2的下方设置有导电载板8,在所述导电载板8与等离子喷射器2之间设置有等离子体6,导电载板8的上表面设置有刻蚀片9,导电载板8的底面电性连接有RF射频直流电源5,所述RF射频直流电源5的另一端接地;在所述腔体3的底面的左端连接有真空泵7。
作为本实用新型的优化技术方案:所述铝板33和陶瓷片34内部嵌入铝合金板。
作为本实用新型的优化技术方案:所述RF射频电源4的另一端接有电容,通过电容接地。
作为本实用新型的优化技术方案:所述腔体3的底面连接有接地线。
工作原理:
本实用新型从工艺化学气体入口1进入腔体3内部的化学气体产生的自由基可能会对腔体3内壁产生腐蚀和对刻蚀片9产生腐蚀;因腔体3内产生的污染物、析出物等都会对内壁造成伤害。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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