[实用新型]气流控制装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种气流控制装置。

背景技术

六甲基二硅胺烷(HexMethyDiSilylamine，简称HMDS)是半导体光刻工 艺中一种常用的耗材。一般在光刻工艺中，在基板上涂布光刻胶之前，先在 基板上均匀涂布一层气态形式的HMDS，用以增大光刻胶与基板表面之间的 粘合度。

相关技术中，HMDS直接从气流控制装置的管路出口垂直沉积到出口的 正下方的基板表面，然后通过表面扩散方式，扩散到基板表面的其他位置， 进而完成HMDS的涂布。因此，位于管路出口正前方的光刻胶区域被称之为 沉积区域，而通过表面扩散方式所形成的光刻胶区域被称之为扩散区域。

但是，相关技术中，HMDS垂直沉积到基板表面后，由于HMDS气体被 加压后从气流控制装置的管路出口直接附着在基板上，HMDS气体在压力和 重力的作用下，会与基板之间形成较大的接触力，从而很容易附着在基板上， 而HMDS气体向其它区域扩散后，这些扩散后的HMDS气体仅在重力的作 用下堆积在基板表面，因此与基板的接触力较小，从而不易附着在基板上。 这就导致在涂布光刻胶后，处于扩散区域内的光刻胶与基板的粘合度较低， 使光刻胶易从基板上剥离。

实用新型内容

本实用新型提供一种气流控制装置，以实现减少整个基板的表面上 HMDS气体的扩散区，使HMDS气体喷向基板的表面时，与基板的表面有足 够的接触力，从而很容易附着在基板上，进而实现了在该基板涂布光刻胶时， 增强光刻胶与基板的粘合度，使光刻胶不易从基板上剥离。

本实用新型提供一种气流控制装置，包括气体输送构件和喷头；所述喷 头包括腔体和多个喷嘴；

所述腔体上设置有进口端，所述气体输送构件上设置有出口端，所述进 口端与所述出口端连通，所述喷嘴设置在所述腔体的外壳上远离所述进口端 的一侧，且均与所述腔体相通，每个所述喷嘴与所述出口端的轴心线均呈 0-90°的夹角设置，且所有所述喷嘴将气体喷射在基板平面的面积大于所述出 口端在所述平面的投影面积。

进一步可选地，上述所述的气流控制装置中，多个所述喷嘴围绕所述轴 心线呈多层环形分布。

进一步可选地，上述所述的气流控制装置中，每层所述喷嘴与所述轴心 线之间的夹角均相等。

进一步可选地，上述所述的气流控制装置中，每层所述喷嘴与所述轴心 线之间的夹角由内至外依次增大。

进一步可选地，上述所述的气流控制装置中，所述腔体的外壳上远离所 述进口端的一侧呈弧面，且所述轴心线穿过所述弧面的中心。

进一步可选地，上述所述的气流控制装置中，所述喷头沿所述轴心线的 方向的截面呈扇形形状。

进一步可选地，上述所述的气流控制装置中，所述喷头还包括挡片和支 撑杆，所述支撑杆的一端与所述挡片连接；所述支撑杆的另一端固定设置；

所述挡片设置在所述腔体内部，当所述挡片与所述出口端投影于同一基 板平面时，所述挡片的投影区域位于所述出口端的投影区域的中部。

进一步可选地，上述所述的气流控制装置中，所述气流控制装置还包括 调节构件；所述支撑杆远离所述挡片的一端设有螺纹；所述调节构件包括与 所述支撑杆螺纹连接的螺母和开孔；

所述气体输送构件包括盖板和气体输送通道，所述气体输送通道设置在 所述盖板内部，所述出口端设置在所述盖板的底部，所述开孔设置在所述盖 板背离所述出口端的一侧，且与所述轴心线共轴设置；

所述支撑杆远离所述挡片的一端由所述气体输送通道穿过所述开孔，并 与所述螺母螺纹配合。

进一步可选地，上述所述的气流控制装置中，所述调节构件还包括密封 垫片，所述密封垫片套设在所述支撑杆上，且位于所述螺母与所述盖板的外 壁之间。

进一步可选地，上述所述的气流控制装置中，所述喷头与所述盖板分开 设置或者为一体化结构。