[实用新型]一种硅片裂痕检测装置有效
| 申请号： | 201620211662.8 | 申请日： | 2016-03-18 |
| 公开（公告）号： | CN205385011U | 公开（公告）日： | 2016-07-13 |
| 发明（设计）人： | 张仲英;王斌;孔维兴 | 申请（专利权）人： | 浙江绿远光伏科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙) 11350 | 代理人： | 汤东凤 |
| 地址： | 323400 浙江省丽*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 硅片 裂痕 检测 装置 | ||
【权利要求书】：
1.一种硅片裂痕检测装置，包括照射硅片表面的影像组件(3)和吹气嘴(8)，其特征在于，一个影像组件(3)和设置在该影像组件(3)前侧的吹气嘴(8)组成一个检测单元，所述检测单元设置在硅片(2)的上下两侧，所述影像组件(3)由一侧的发射光源(6)和另一侧的影像传感器(7)组成，且所述影像组件(3)的尾端部线路连接成像处理单元(4)，所述成像处理单元(4)连接显示单元(5)。
2.根据权利要求1所述的一种硅片裂痕检测装置，其特征在于，所述影像组件(3)和吹气嘴(8)组成的检测单元靠近硅片(2)的上下端面各至少设置有两组。
3.根据权利要求1所述的一种硅片裂痕检测装置，其特征在于，所述吹气嘴(8)的嘴口垂直于硅片(2)。
4.根据权利要求1所述的一种硅片裂痕检测装置，其特征在于，所述硅片(2)由输送带(1)输送向一侧运行。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
