[实用新型]一种硅片裂痕检测装置有效
申请号: | 201620211662.8 | 申请日: | 2016-03-18 |
公开(公告)号: | CN205385011U | 公开(公告)日: | 2016-07-13 |
发明(设计)人: | 张仲英;王斌;孔维兴 | 申请(专利权)人: | 浙江绿远光伏科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;H01L21/67 |
代理公司: | 北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙) 11350 | 代理人: | 汤东凤 |
地址: | 323400 浙江省丽*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 硅片 裂痕 检测 装置 | ||
技术领域
本实用新型涉及硅片光学检测装置技术领域,尤其涉及一种硅片裂痕检测装置。
背景技术
在太阳能电池制造过程中,均需对硅片进行检测,并通过检测的参数淘汰劣质的硅片,或对硅片进行等级分类。经检测后的硅片经进一步处理,如在表面形成导电栅线,最终形成可用来发电的电池片。对硅片的检测包括硅片的尺寸检测、翘曲度检测、裂痕检测、以及电学性能检测等。现在一般都是采用光学成像设备对硅片表面进行检测,然而现有的检测装置经常存在检测误判,主要是硅片的生产过程中,还容易于其表面形成粘胶、指纹等沾污,检测时经常将硅片表面的污物当成硅片表面损坏,同时现有的检测设备存在观测不方便,也同样容易造成误判。
实用新型内容
本实用新型的目的是为了克服现有技术的不足,提供了一种硅片裂痕检测装置,减少在硅片表面检测过程中因表面污染物造成的检测误判,提高了检测准确性,同时硅片检测可快速成像,便于观测。
本实用新型通过以下技术方案实现:一种硅片裂痕检测装置,包括照射硅片表面的影像组件和吹气嘴,其特征在于,一个影像组件和设置在该影像组件前侧的吹气嘴组成一个检测单元,所述检测单元设置在硅片的上下两侧,所述影像组件由一侧的发射光源和另一侧的影像传感器组成,且所述影像组件的尾端部线路连接成像处理单元,所述成像处理单元连接显示单元。
进一步地,所述影像组件和吹气嘴组成的检测单元靠近硅片的上下端面各至少设置有两组。
进一步地,所述吹气嘴的嘴口垂直于硅片。
进一步地,所述硅片由输送带输送向一侧运行。
与现有的技术相比,本实用新型的有益效果是:本实用新型通过在检测装置的影像组件的前侧设置吹气嘴,在硅片由输送带输送至影像组件检测表面时,先采用吹气嘴对硅片表面进行吹气,吹掉硅片表面的杂物,避免硅片表面污染物造成检测误判,且影像组件和吹气嘴组成的检测单元靠近硅片的上下端面各至少设置有两组,确保吹气嘴将硅片表面吹掉,保证检测的准确性,且在硅片的上下端面布置,实现对硅片表面的全面检测,影像组件的发射光源对硅片发射入射光,而经硅片反射后的反射光被影像传感器接收,同时影像传感器将光照信号传递给成像处理单元,经成像处理单元整处理后在显示单元对硅片表面成像显示,便于观测。
附图说明
图1为本实用新型一种硅片裂痕检测装置的连接结构示意图。
其中:1、输送带;2、硅片;3、影像组件;4、成像处理单元;5、显示单元;6、发射光源;7、影像传感器;8、吹气嘴。
具体实施方式
为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下结合附图及实施例,对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅用以解释本实用新型,并不用于限定本实用新型。
如图1所示,本实用新型涉及一种硅片裂痕检测装置,包括照射硅片表面的影像组件3和吹气嘴8,一个影像组件3和设置在该影像组件3前侧的吹气嘴8组成一个检测单元,所述检测单元设置在硅片2的上下两侧,所述影像组件3由一侧的发射光源6和另一侧的影像传感器7组成,且所述影像组件3的尾端部线路连接成像处理单元4,所述成像处理单元4连接显示单元5,所述影像组件3和吹气嘴8组成的检测单元靠近硅片2的上下端面各至少设置有两组,所述吹气嘴8的嘴口垂直于硅片2,所述硅片2由输送带1输送向一侧运行。
综上所述,本实用新型通过在检测装置的影像组件3的前侧设置吹气嘴8,在硅片2由输送带输1送至影像组件3检测表面时,先采用吹气嘴8对硅片2表面进行吹气,吹掉硅片2表面的杂物,避免硅片2表面污染物造成检测误判,且影像组件3和吹气嘴8组成的检测单元靠近硅片2的上下端面各至少设置有两组,确保吹气嘴8将硅片2表面吹掉,保证检测的准确性,且在硅片2的上下端面布置,实现对硅片2表面的全面检测,影像组件3的发射光源6对硅片2发射入射光,而经硅片2反射后的反射光被影像传感器7接收,同时影像传感器7将光照信号传递给成像处理单元4,经成像处理单元4整处理后在显示单元5对硅片2表面成像显示,便于观测。
以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已,并不用以限制本实用新型,凡在本实用新型的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等,均应包含在本实用新型的保护范围之内。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造