[实用新型]一种扇出型封装结构有效

专利信息
申请号: 201620413420.7 申请日: 2016-05-09
公开(公告)号: CN206134648U 公开(公告)日: 2017-04-26
发明(设计)人: 仇月东;林正忠 申请(专利权)人: 中芯长电半导体(江阴)有限公司
主分类号: H01L21/48 分类号: H01L21/48;H01L23/498
代理公司: 上海光华专利事务所31219 代理人: 罗泳文
地址: 214437 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 扇出型 封装 结构
【权利要求书】:

1.一种扇出型封装结构,其特征在于,包括:

衬底,所述衬底的正面形成有粘合层,所述衬底及粘合层中形成有与芯片电引出对应的通孔结构,所述通孔结构内填充有导电材料;

芯片,对应于通孔结构附着于所述粘合层上,实现芯片的电引出;

封装材料,覆盖于所述芯片之上;

重新布线层,形成于所述衬底背面;

电极凸点,形成于所述重新布线层之上。

2.根据权利要求1所述的扇出型封装结构,其特征在于:还包括塑封材料,封装于所述扇出型封装结构的侧面、电极凸点及重新布线层,露出所述电极凸点,形成三维保护结构。

3.根据权利要求1所述的扇出型封装结构,其特征在于:所述衬底包括玻璃衬底、陶瓷衬底、硅衬底、氧化硅衬底及刚性的聚合物衬底中的一种。

4.根据权利要求1所述的扇出型封装结构,其特征在于:所述粘合层包括胶带、通过旋涂工艺制作的粘合胶或环氧树脂中的一种。

5.根据权利要求1所述的扇出型封装结构,其特征在于:所述封装材料包括聚酰亚胺、硅胶以及环氧树脂中的一种。

6.根据权利要求1所述的扇出型封装结构,其特征在于:所述导电材料包括种子层以及导电金属,所述种子层包括铜层,或者铜与钛的叠层,所述导电金属包括铜。

7.根据权利要求1所述的扇出型封装结构,其特征在于:所述重新布线层包括图形化的介质层以及图形化的金属布线层。

8.根据权利要求7所述的扇出型封装结构,其特征在于:所述介质层的材料包括环氧树脂、硅胶、PI、PBO、BCB、氧化硅、磷硅玻璃,含氟玻璃中的一种,所述金属布线层的材料包括铜、铝、镍、金、银、钛中的一种。

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