[实用新型]一种扇出型封装结构有效
申请号: | 201620413420.7 | 申请日: | 2016-05-09 |
公开(公告)号: | CN206134648U | 公开(公告)日: | 2017-04-26 |
发明(设计)人: | 仇月东;林正忠 | 申请(专利权)人: | 中芯长电半导体(江阴)有限公司 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48;H01L23/498 |
代理公司: | 上海光华专利事务所31219 | 代理人: | 罗泳文 |
地址: | 214437 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 扇出型 封装 结构 | ||
1.一种扇出型封装结构,其特征在于,包括:
衬底,所述衬底的正面形成有粘合层,所述衬底及粘合层中形成有与芯片电引出对应的通孔结构,所述通孔结构内填充有导电材料;
芯片,对应于通孔结构附着于所述粘合层上,实现芯片的电引出;
封装材料,覆盖于所述芯片之上;
重新布线层,形成于所述衬底背面;
电极凸点,形成于所述重新布线层之上。
2.根据权利要求1所述的扇出型封装结构,其特征在于:还包括塑封材料,封装于所述扇出型封装结构的侧面、电极凸点及重新布线层,露出所述电极凸点,形成三维保护结构。
3.根据权利要求1所述的扇出型封装结构,其特征在于:所述衬底包括玻璃衬底、陶瓷衬底、硅衬底、氧化硅衬底及刚性的聚合物衬底中的一种。
4.根据权利要求1所述的扇出型封装结构,其特征在于:所述粘合层包括胶带、通过旋涂工艺制作的粘合胶或环氧树脂中的一种。
5.根据权利要求1所述的扇出型封装结构,其特征在于:所述封装材料包括聚酰亚胺、硅胶以及环氧树脂中的一种。
6.根据权利要求1所述的扇出型封装结构,其特征在于:所述导电材料包括种子层以及导电金属,所述种子层包括铜层,或者铜与钛的叠层,所述导电金属包括铜。
7.根据权利要求1所述的扇出型封装结构,其特征在于:所述重新布线层包括图形化的介质层以及图形化的金属布线层。
8.根据权利要求7所述的扇出型封装结构,其特征在于:所述介质层的材料包括环氧树脂、硅胶、PI、PBO、BCB、氧化硅、磷硅玻璃,含氟玻璃中的一种,所述金属布线层的材料包括铜、铝、镍、金、银、钛中的一种。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造