[实用新型]一种扇出型封装结构

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种封装结构及封装方法，特别是涉及一种扇出型封装结构及其封装方法。

背景技术

随着集成电路制造业的快速发展，人们对集成电路的封装技术的要求也不断提高，现有的封装技术包括球栅阵列封装(BGA)、芯片尺寸封装(CSP)、圆片级封装(WLP)、三维封装(3D)和系统封装(SiP)等。其中，圆片级封装(WLP)由于其出色的优点逐渐被大部分的半导体制造者所采用，它的全部或大部分工艺步骤是在已完成前工序的硅圆片上完成的，最后将圆片直接切割成分离的独立器件。圆片级封装(WLP)具有其独特的优点：①封装加工效率高，可以多个圆片同时加工；②具有倒装芯片封装的优点，即轻、薄、短、小；③与前工序相比，只是增加了引脚重新布线(RDL)和凸点制作两个工序，其余全部是传统工艺；④减少了传统封装中的多次测试。因此世界上各大型IC封装公司纷纷投入这类WLP的研究、开发和生产。

扇出型晶圆级封装由于具有小型化、低成本和高集成度等优点，在移动设备厂商等制造商中，具有较高的关注度。扇出型晶圆级封装目前最适合高要求的移动/无线市场，并且对其它关注高性能和小尺寸的市场，也具有很强的吸引力。

传统的扇出型芯片封装技术，通常是将半导体芯片直接粘贴于粘合层上，然后将半导体芯片转移至支撑衬底或支架上。然而，由于粘合层容易变形扭曲，大大影响了产品封装的可靠性，降低了产品性能。

现有的一种解决方案是先将粘合层附着于一个刚性载体上，然后将半导体芯片粘贴于粘合层的另一面上，最后再将半导体芯片转移至支撑衬底或支架上。然而，这种方法后面依然需要将刚性载体去除，刚性载体被去除后，粘合层的变形扭曲现象依然会多多少少存在，一定程度上会影响到产品封装的可靠性。

基于以上所述，提供一种可以有效解决由于变形扭曲现象导致产品封装可靠性降低的缺陷的封装结构及封装方法实属必要。

实用新型内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本实用新型的目的在于提供一种扇出型封装结构及其封装方法，用于解决现有技术中由于变形扭曲现象导致产品封装可靠性降低的问题。

为实现上述目的及其他相关目的，本实用新型提供一种扇出型封装结构的封装方法，所述封装方法包括步骤：步骤1)，提供一衬底，于所述衬底正面制作出与芯片电引出对应的凹槽孔；步骤2)，于具有凹槽孔的衬底正面形成粘合层，并于对应凹槽孔的位置将芯片附着于所述粘合层上；步骤3)，采用封装材料封装所述芯片；步骤4)，从背面减薄所述衬底，露出各凹槽孔；步骤5)，去除各凹槽孔内的粘合层，形成通孔结构；步骤6)，于各通孔结构内填充导电材料，实现芯片的电引出；步骤7)，于衬底背面制作重新布线层以及电极凸点，形成扇出型封装结构。

作为本实用新型的扇出型封装结构的封装方法的一种优选方案，还包括步骤8)，于切割道区域的重新布线层中形成开孔，然后采用塑封材料对所述扇出型封装结构的侧面、电极凸点、重新布线层进行封装，露出所述电极凸点，形成三围保护结构。

作为本实用新型的扇出型封装结构的封装方法的一种优选方案，所述衬底包括玻璃衬底、陶瓷衬底、硅衬底、氧化硅衬底及刚性的聚合物衬底中的一种。

作为本实用新型的扇出型封装结构的封装方法的一种优选方案，步骤1)中，制作所述凹槽孔工艺包括光刻工艺、激光钻孔工艺，钻孔机械工艺及深反应离子刻蚀工艺中的一种。

作为本实用新型的扇出型封装结构的封装方法的一种优选方案，步骤2)中，所述粘合层包括胶带、通过旋涂工艺制作的粘合胶或环氧树脂中的一种。

作为本实用新型的扇出型封装结构的封装方法的一种优选方案，所述封装材料包括聚酰亚胺、硅胶以及环氧树脂中的一种。

作为本实用新型的扇出型封装结构的封装方法的一种优选方案，步骤6)包括：步骤6-1)，采用溅射工艺于各通孔内形成种子层，所述种子层包括铜层，或者铜与钛的叠层；步骤6-2)，采用电镀工艺于各通孔内形成导电金属，所述导电金属包括铜；步骤6-3)，采用机械化学抛光的方式对填充完的通孔表面进行平坦化处理。

作为本实用新型的扇出型封装结构的封装方法的一种优选方案，步骤7)制作所述重新布线层包括步骤：步骤7-1)，于衬底背面形成第一介质层并开孔，形成与金属布线对应的图形化的介质层；步骤7-2)，于所述第一介质层表面制作图形化的金属布线层；步骤7-3)，于上述第一介质层表面形成第二介质层，并开孔，形成于植球金属层对应的图形化介质层；步骤7-4)，于第二介质层表面形成图形化的植球金属层。