[实用新型]一种AMOLED显示面板结构有效
申请号: | 201620690193.2 | 申请日: | 2016-06-30 |
公开(公告)号: | CN206134686U | 公开(公告)日: | 2017-04-26 |
发明(设计)人: | 郑武;罗锦钊;陈天佑;胡君文;苏君海;李建华 | 申请(专利权)人: | 信利(惠州)智能显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52 |
代理公司: | 广州三环专利代理有限公司44202 | 代理人: | 章兰芳 |
地址: | 516029 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 amoled 显示 面板 结构 | ||
技术领域
本实用新型涉及AMOLED显示面板技术领域,具体涉及一种AMOLED显示面板结构。
背景技术
目前在平板显示行业有源矩阵有机发光二极管(Active Matrix/Organic Light Emitting Diode)相比与传统的液晶显示器来说,具有响应速度快、无需背光灯、对比度更高、整体结构更加轻薄、视角较广可制成柔性产品等优点,随着技术的发展,消费者更注重显示面板的外观设计和显示区域在整个显示屏中所占的比例,体积小、显示区域大的AMOLED显示面板越来越受到人们的青睐,然而现有技术中的AMOLED显示面板在成产过程中往往存在一些严重影响产品质量的缺陷,在常见的样品设计中,产品经常设置成Frit封装区和GOA电路处于水平方向的位置,由于考虑到Frit封装时需要经过激光烧结,而激光烧结时则会产生800摄氏度左右的温度,在GOA电路中含有Al(其熔点大概为660摄氏度)会由于过高的温度而融化,另外该结构设计所占空间比较大,而且显示效果也不理想,有待进一步的改进。
实用新型内容
针对上述现有技术的不足,本实用新型提供一种边框的尺寸小、显示效果好、具有较高实用价值的AMOLED显示面板结构。
为解决上述问题,本实用新型采用的技术方案为:
本实用新型提供一种AMOLED显示面板结构,所述AMOLED显示面板结构包括第一基板、第二基板和设置于所述第一基板和所述第二基板之间的Frit封装结构和显示区,所述第一基板上设置有像素电路、GOA电路、信号线、阴极搭接区和ELVSS走线,所述Frit封装结构和所所述阴极搭接区设置在所述第一基板上,并设置在所述GOA电路正上方,所述GOA电路上设置有绝缘层,所述绝缘层用于缓冲热量向GOA电路方向扩散,以保护GOA电路及其走线,所述绝缘层上方设置有金属层,所述金属层用于反射激光以降低由于激光烧结所述Frit封装结构所产生热量向GOA电路方向扩散。
进一步地,所述第二基板为封装玻璃基板。
进一步地,所述金属层为高反射率、熔点高于激光烧结温度的金属层,如金、钼或其合金材料金属层。
本实用新型的有益效果在于:
本实用新型提供一种AMOLED显示面板结构在Frit下方制作一层金属层,具有反射激光以降低由于激光烧结Frit材料所产生热量向GOA电路方向扩散、用作ELVSS电极走线、阴极搭接区域等作用,并在此金属层下方制作一层透光的绝缘层,起到缓冲热量向GOA电路方向扩散的作用,将原有的Frit区域和GOA区域水平方向放置设计成Frit区域和GOA区域垂直方向放置,减小了显示屏边框尺寸,提高了显示区域所占的面积,扩大了显示屏的显示面积,同时也增强了显示效果,具有极好的实用价值。
附图说明
图1是现有技术中显示屏边框区域分布截面图;
图2是本实用新型一种AMOLED显示面板结构的显示屏边框区域分布图;
图3是本实用新型一种AMOLED显示面板结构的显示面板俯视示意图;
图4是本实用新型一种AMOLED显示面板结构的无GOA电路的非显示区域连接关系;
图5是本实用新型一种AMOLED显示面板结构的GOA电路的非显示区域连接关系。
具体实施方式
下面结合附图具体阐明本实用新型的实施方式,附图仅供参考和说明使用,不构成对本实用新型专利保护范围的限制。
如图1所示,现有技术中AMOLED显示面板结构Frit封装区和GOA电路处于水平方向的位置,这样的显示面板显示效果不理想,而且占用的空间较大,图中10为第一基板,为玻璃基板,20为盖板,即第二基板,30为Frit封装结构,40为GOA电路区域,50为显示区域,60为激光照射方向。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的