[实用新型]半导体组件有效

专利信息
申请号: 201620778056.4 申请日: 2016-07-22
公开(公告)号: CN206163479U 公开(公告)日: 2017-05-10
发明(设计)人: P·温卡特拉曼;B·帕德玛纳伯翰;刘春利;A·萨利 申请(专利权)人: 半导体元件工业有限责任公司
主分类号: H01L23/49 分类号: H01L23/49;H01L23/492;H01L23/528;H01L23/48
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所11038 代理人: 申发振
地址: 美国亚*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 半导体 组件
【权利要求书】:

1.一种半导体组件,具有至少第一端子和第二端子,其特征在于包括:

支撑件(102),具有第一器件容纳部分(104)和第二器件容纳部分(106)、器件互连部分(108)、第一引线(110)和第二引线(116),其中所述第一引线(110)和所述第二引线(116)与所述器件互连部分(108)一体形成并从所述器件互连部分(108)延伸;

第三引线(114),邻近所述第一器件容纳部分(104)和所述第二器件容纳部分(106)并与所述第一器件容纳部分(104)和所述第二器件容纳部分(106)电气地隔离;以及

第一半导体器件(50),具有第一表面和第二表面,其中第一接合焊盘(60)从所述第一表面的第一部分延伸,第二接合焊盘(58)从所述第一表面的第二部分延伸,并且第三接合焊盘(56)从所述第一表面的第三部分延伸,所述第一接合焊盘(60)耦合至所述第一器件容纳部分(104),所述第二接合焊盘(58)耦合至所述第二器件容纳部分(106),并且所述第三接合焊盘(56)耦合至所述器件互连部分(108),其中所述第一半导体器件(50)由III-N族半导体材料配置。

2.根据权利要求1所述的半导体组件,其中所述第一半导体器件(50)是具有控制电极(84G)以及第一载流电极(84S)和第二载流电极(84D)的第一场效应晶体管(84),所述第三接合焊盘(56)充当所述场效应晶体管(84)的所述控制电极(84G),所述第二接合焊盘(58)充当所述第一载流电极(84S),并且所述第一接合焊盘(60)充当所述第二载流电极(84D),并且其中所述半导体器件(50)以倒装芯片配置安装。

3.根据权利要求1所述的半导体组件,还包括:

模塑化合物(140),在所述第一器件容纳部分(104)与所述第二器件容纳部分(106)之间;

第一导电互连(162),具有第一端子和第二端子,所述第一导电互连(162)的所述第一端子耦合至所述第二器件容纳部分(106),并且所述第一导电互连(162)的所述第二端子耦合至所述第一半导体器件(50)的所述第二表面;以及

第二半导体器件(10),安装至所述第一导电互连(162),所述第二半导体器件具有第一表面和第二表面,其中第一接合焊盘(16)从所述第一表面的第一部分延伸,第二接合焊盘(18)从所述第一表面的第二部分延伸,并且接触件在所述第二表面处,所述接触件耦合至所述第一导电互连(162)。

4.根据权利要求1所述的半导体组件,还包括接合至所述第一半导体器件(50)的电气绝缘材料(158)。

5.根据权利要求4所述的半导体组件,还包括第一导电互连(162),具有第一端子和第二端子,所述第一导电互连(162)的所述第一端子耦合至所述第二器件容纳部分(106),并且所述第一导电互连(162)的所述第二端子耦合至所述电气绝缘材料(158)。

6.根据权利要求5所述的半导体组件,还包括:

第二半导体器件(10),安装至所述第一导电互连(162),所述第二半导体器件(10)具有第一表面和第二表面,其中第一接合焊盘(16)从所述第一表面的第一部分延伸,第二接合焊盘(18)从所述第一表面的第二部分延伸,并且接触件在所述第二表面处,所述接触件耦合至所述第一导电互连(162);以及

第二导电互连(166),具有第一端子和第二端子,所述第二导电互连(166)的所述第一端子耦合至所述第二半导体器件(10)的所述第二接合焊盘(18),并且所述第二导电互连(166)的所述第二端子耦合至所述器件互连部分(108)。

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