[实用新型]半导体组件

说明书

本申请是由Balaji Padmanabhan等人在2015年7月24日提交的标题为“SEMICONDUCTOR COMPONENT AND METHOD OF MANUFACTURE”的临时专利申请No.62/196,641的非临时申请，该临时专利申请通过引用整体地合并于此，并且在此为共同主题要求其优先权。

技术领域

本实用新型通常涉及电子设备并且更具体地涉及电子设备的半导体结构以及形成半导体器件的方法。

背景技术

过去，半导体制造商已经使用硅半导体材料和III-N族半导体材料的组合制造共源共栅器件，诸如与增强模式硅器件共源共栅的常开型III-N族耗尽模式HEMT。使用该材料组合有助于使用常开型的III-N族耗尽模式器件实现常关状态。已经在Rakesh K.Lal等人申请的并且在2013年4月11日公开的美国专利申请公开No.2013/0088280 A1中描述了共源共栅半导体器件。

在由不同半导体衬底材料制造共源共栅器件之后，半导体组件制造商典型地通过将硅器件和耗尽模式器件封装在分开的封装中以及通过引线框架引线将分开的封装中的器件连接在一起以形成共源共栅器件来保护硅器件和耗尽模式器件。该方法的缺点是增加封装的数量增大共源共栅半导体组件的成本并且由于增大的寄生效应(诸如寄生电容和寄生电感)使共源共栅器件的性能退化。

相应地，具有共源共栅半导体器件和用于制造共源共栅半导体器件的方法将是有利的。有成本效率地实现结构和方法将具有进一步的优势。

实用新型内容

本实用新型的一个目的是解决与现有技术中存在的一个或更多个问题相关的问题。

根据本实用新型的一个方面，提供一种半导体组件，具有至少第一端子和第二端子。半导体组件可以包括：支撑件，具有第一器件容纳部分和第二器件容纳部分、器件互连部分、第一引线和第二引线，其中第一引线和第二引线与器件互连部分一体形成并从器件互连部分延伸；第三引线，邻近第一器件容纳部分和第二器件容纳部分并与第一器件容纳部分和第二器件容纳部分电气地隔离；以及第一半导体器件，具有第一表面和第二表面，其中第一接合焊盘从第一表面的第一部分延伸，第二接合焊盘从第一表面的第二部分延伸，并且第三接合焊盘从第一表面的第三部分延伸，第一接合焊盘耦合至第一器件容纳部分，第二接合焊盘耦合至第二器件容纳部分，并且第三接合焊盘耦合至器件互连部分，其中第一半导体器件由III-N族半导体材料配置。

根据本实用新型的实施例，其中第一半导体器件可以是具有控制电极以及第一载流电极和第二载流电极的第一场效应晶体管，第三接合焊盘充当场效应晶体管的控制电极，第二接合焊盘充当第一载流电极，并且第一接合焊盘充当第二载流电极，并且其中半导体器件以倒装芯片配置安装。

根据本实用新型的实施例，半导体组件还可以包括：模塑化合物，在第一器件容纳部分与第二器件容纳部分之间；第一导电互连，具有第一端子和第二端子，第一导电互连的第一端子耦合至第二器件容纳部分，并且第一导电互连的第二端子耦合至第一半导体器件的第二表面；以及第二半导体器件，安装至第一导电互连，第二半导体器件具有第一表面和第二表面，其中第一接合焊盘从第一表面的第一部分延伸，第二接合焊盘从第一表面的第二部分延伸，并且接触件在第二表面处，接触件耦合至第一导电互连。

根据本实用新型的实施例，半导体组件还可以包括接合至第一半导体器件的电气绝缘材料。

根据本实用新型的实施例，半导体组件还可以包括第一导电互连，具有第一端子和第二端子，第一导电互连的第一端子耦合至第二器件容纳部分，并且第一导电互连的第二端子耦合至电气绝缘材料。

根据本实用新型的实施例，半导体组件还可以包括：第二半导体器件，安装至第一导电互连，第二半导体器件具有第一表面和第二表面，其中第一接合焊盘从第一表面的第一部分延伸，第二接合焊盘从第一表面的第二部分延伸，并且接触件在第二表面处，接触件耦合至第一导电互连；以及第二导电互连，具有第一端子和第二端子，第二导电互连的第一端子耦合至第二半导体器件的第二接合焊盘，并且第二导电互连的第二端子耦合至器件互连部分。