[实用新型]一种氮化镓基发光二极管的外延片

权利要求书

1.一种氮化镓基发光二极管的外延片，所述外延片包括依次层叠的衬底、缓冲层、非掺杂GaN层、N型接触层、有源层、P型电子阻挡层和P型接触层，其特征在于，所述外延片还包括夹设在所述N型接触层和所述有源层之间的应力释放层，所述应力释放层包括依次层叠在所述N型接触层上的第一子层、第二子层和第三子层，所述第一子层为N型掺杂的第一GaN层，所述第二子层包括交替层叠的In_xGa_1-xN层和N型掺杂的第二GaN层，所述第三子层包括N型掺杂的第三GaN层、或者包括交替层叠的非掺杂的第四GaN层和N型掺杂的第五GaN层、或者包括多层N型掺杂的第六GaN层，相邻两层所述第六GaN层的掺杂浓度不同。

2.根据权利要求1所述的外延片，其特征在于，所述第三GaN层的掺杂浓度保持不变、先降低再升高、或者先升高再降低。

3.根据权利要求1或2所述的外延片，其特征在于，所述第二GaN层的掺杂浓度在所述应力释放层中最高或最低。

4.根据权利要求1或2所述的外延片，其特征在于，所述第三子层的厚度在所述应力释放层中最大。

5.根据权利要求1或2所述的外延片，其特征在于，所述第三子层的厚度为500～1400nm。

6.根据权利要求1或2所述的外延片，其特征在于，所述In_xGa_1-xN层和所述第二GaN层交替层叠的周期数为2～10。