[实用新型]一种氮化镓基发光二极管的外延片

说明书

技术领域

本实用新型涉及光电子制造技术领域，特别涉及一种氮化镓基发光二极管的外延片。

背景技术

LED(Light Emitting Diode，发光二极管)具有体积小、寿命长、功耗低等优点，目前被广泛应用于汽车信号灯、交通信号灯、显示屏以及照明设备。

在发光二极管的外延片的生长过程中，常常会由于晶格失配而出现应力，导致晶体质量变差，抗静电性下降，发光效率降低。为了提高外延片的抗静电性和发光效率，通常会在生长有源层之前生长一层InGaN浅量子阱，以释放应力。

但是InGaN浅量子阱只能减小与有源层之间的晶格失配，不能释放生长InGaN浅量子阱之前形成的应力，对外延片的抗静电性和发光效率的提高十分有限。

实用新型内容

为了进一步提高外延片的抗静电性和发光效率，本实用新型实施例提供了一种氮化镓基发光二极管的外延片。所述技术方案如下：

本实用新型实施例提供了一种氮化镓基发光二极管的外延片，所述外延片包括依次层叠的衬底、缓冲层、非掺杂GaN层、N型接触层、有源层、P型电子阻挡层和P型接触层，所述外延片还包括夹设在所述N型接触层和所述有源层之间的应力释放层，所述应力释放层包括依次层叠在所述N型接触层上的第一子层、第二子层和第三子层，所述第一子层为N型掺杂的第一GaN层，所述第二子层包括交替层叠的In_xGa_1-xN层和N型掺杂的第二GaN层，所述第三子层包括N型掺杂的第三GaN层、或者包括交替层叠的非掺杂的第四GaN层和N型掺杂的第五GaN层、或者包括多层N型掺杂的第六GaN层，相邻两层所述第六GaN层的掺杂浓度不同。

优选地，所述第三GaN层的掺杂浓度保持不变、先降低再升高、或者先升高再降低。

进一步地，所述第二GaN层的掺杂浓度在所述应力释放层中最高或最低。

可选地，所述第三子层的厚度在所述应力释放层中最大。

优选地，所述第三子层的厚度为500～1400nm。

可选地，所述In_xGa_1-xN层和所述第二GaN层交替层叠的周期数为2～10。

本实用新型实施例提供的技术方案带来的有益效果是：通过在N型接触层和有源层之间设置包括第一子层、第二子层、第三子层的应力释放层，第二子层为包括交替层叠的In_xGa_1-xN层和N型掺杂的第二GaN层的超晶格结构，可以有效释放底层由于晶格失配形成的应力，减小压电极化效应，增加电子和空穴的复合机率，提高外延片的抗静电性能和发光效率。且第一子层、第二子层、第三子层中均为N型掺杂，有利于电流的扩展，减小了应力释放层两侧的电阻，增大了应力释放层两侧的电容，可以将更多的电子蓄积起来，起到了更好地电子阻挡作用，减少了漏电通道，进一步提高抗静电能力。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本实用新型实施例提供的一种氮化镓基发光二极管的外延片的结构图；

图2是本实用新型实施例提供的一种应力释放层的结构图；

图3是本实用新型实施例提供的一种第三子层的结构图；

图4是本实用新型实施例提供的另一种第三子层的结构图。

具体实施方式

为使本实用新型的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本实用新型实施方式作进一步地详细描述。