[实用新型]ESD保护电路用半导体装置

说明书

本申请是2015年8月19日向中国国家专利局提出的申请号为201490000444.9、发明创造名称为“半导体装置”这一申请的分案申请。

技术领域

本实用新型涉及在形成有功能元件的半导体基板上具备再布线层的ESD保护电路用半导体装置。

背景技术

作为半导体装置之一，有ESD(Electro-Static-Discharge：静电阻抗器)保护装置。ESD保护器件保护半导体IC等不受静电影响等。在以移动体通信终端、数码相机、笔记本型PC为代表的各种电子设备具备逻辑电路、存储电路等的半导体集成电路。这种半导体集成电路是由形成在半导体基板上的微细布线图案构成的低电压驱动电路，所以一般对于电涌这样的静电放电较为脆弱。因此，为了保护这种半导体集成电路不受电涌影响，而使用ESD保护器件。

在将ESD保护器件设置在高频电路中的情况下，存在受到二极管的寄生电容的影响这种问题。即，将ESD器件插入信号线路会导致阻抗因二极管的寄生电容的影响而产生偏移，结果有时产生信号损失。特别是在使用于高频电路的ESD保护器件中，为了不使连接的信号线路、作为保护对象的集成电路的高频特性降低，要求寄生电容较小。因此，专利文献1公开了一种减少由二极管的寄生电容所带来的影响来抑制电路特性的劣化的ESD保护器件。

专利文献1:国际公开2012/023394号小册子

在专利文献1中，在半导体基板的形成有ESD保护电路的面上设置由SiO2构成的无机绝缘层作为保护膜，在该无机绝缘层设置有由Cu构成的面内布线。因此，在专利文献1中，即使能够减少由二极管的寄生电容所带来的影响，也无法抑制在面内布线与半导体基板之间产生的寄生电容，存在无法防止ESD保护器件本身的电容的增加这种问题。另外，若产生寄生电容，则高频带被限制，所以也存在在高频带无法使用ESD保护电路这种问题。

实用新型内容

因此，本实用新型的目的在于提供一种能够减少寄生电容的产生，并能够应用到更高频带的半导体装置。

本实用新型所涉及的ESD保护电路用半导体装置，其特征在于，具备：形成在俯视时矩形状的半导体基板内的第一二极管以及第二二极管；分别形成在所述半导体基板的表面的第一输入输出电极以及第二输入输出电极，所述第一输入输出电极与所述第一二极管的一端连接，所述第二输入输出电极与所述第二二极管的一端连接；以及分别形成于设置在所述半导体基板的表面的再布线层并经由第一接触孔与所述第一输入输出电极连接的第一布线电极、以及经由第二接触孔与所述第二输入输出电极连接的第二布线电极，所述第一布线电极在俯视时从与所述第一输入输出电极重叠的区域被布线成L字形，所述第二布线电极在俯视时从与所述第二输入输出电极重叠的区域被布线成L字形，所述第一布线电极的一部分作为第一端子电极被利用，所述第二布线电极的一部分作为第二端子电子被利用。

在该结构中，能够防止在第一布线电极与第二二极管形成区域之间、以及第二布线电极与第一二极管形成区域之间产生不必要的寄生电容。通过抑制寄生电容，能够应用到更高频带。

优选在所述第一布线电极以及所述第二布线电极的表面设置有俯视时与所述第一输入输出电极以及所述第二输入输出电极重叠的树脂层，在所述树脂层，在俯视时与所述第一布线电极的一部分重叠而不与所述第一输入输出电极重叠的部分形成有第一开口部，在与所述第二布线电极的一部分重叠而不与所述第二输入输出电极重叠的部分形成有第二开口部，通过所述第一开口部以及所述第二开口部规定所述第一端子电极以及所述第二端子电极。

优选所述第一二极管以及所述第二二极管是ESD保护电路，所述第一布线电极以及所述第二布线电极是ESD电流的电流路径。

在该结构中，通过抑制寄生电容的产生，能够减少作为ESD保护电路的高频电路的阻抗的偏移，并能够减少高频电路的信号损失。

优选在所述第一二极管分别连接与所述第一输入输出电极导通的第一梳齿状电极、以及与所述中间电极导通的第二梳齿状电极，在所述第二二极管分别连接与所述中间电极导通的第三梳齿状电极、以及与所述第二输入输出电极导通的第四梳齿状电极。

在该结构中，能够以有限的占有面积构成ESL小、电流容量大的二极管。