[实用新型]SOD型半导体引线框架

权利要求书

1.一种SOD型半导体引线框架，由上片和下片平贴扣合而成；所述上片和下片均由上边框和下边框以及与上边框和下边框垂直并整体连接的多个框架单元组成；所述上片的上边框和下边框都均匀分布多个圆形定位孔、多个椭圆形定位孔和多个方孔；所述下片的上边框和下边框都均匀分布多个圆形定位孔、多个椭圆形定位孔和多个凸刺；所述上片的上边框和下边框的定位孔和椭圆形定位孔分别与下片的上边框和下边框的定位孔和椭圆形定位孔一一对应；所述上片的上边框和下边框的方孔分别与下片上边框和下边框的凸刺一一紧密配合；所述框架单元包括整体连接上边框和下边框的连筋以及上下均匀排列的且仅在连筋的一侧的多个与所述连筋垂直的引脚，引脚上整体连接一个基岛；所述相邻框架单元的引脚位于连筋的不同侧，且连筋相邻的框架单元相互连接且紧邻，连筋相邻的框架单元组成复合框架单元；所述上片的复合框架单元的左边基岛与所述下片的复合框架单元的右边基岛配合，所述上片的复合框架单元的右边基岛与所述下片的复合框架单元的左边基岛配合；上片相邻复合框架单元垂直中心线之间的距离为13±0.02mm，下片相邻复合框架单元垂直中心线之间的距离也是13±0.02mm；所述上片开设有34个框架单元；所述下片开设有34个框架单元；所述框架单元上均设有25个引脚；所述上片和下片的上边框和下边框的侧边都均匀设有开口；所述开口的长和宽分别为：1mm和0.4mm。

2.如权利要求1所述的一种SOD型半导体引线框架，其特征在于：所述方孔的长和宽分别为：2.5mm和1.2mm。

3.如权利要求1所述的一种SOD型半导体引线框架，其特征在于：所述引脚和基岛之间设有折边部，所述的拆边部上设有两个防分层孔。

4.如权利要求1所述的一种SOD型半导体引线框架，其特征在于：所述上片和下片的长度和宽度分别为221±0.05mm、76±0.05mm。

5.如权利要求1所述的一种SOD型半导体引线框架，其特征在于：所述上片和下片的多个椭圆形定位孔的长和宽分别为3mm和1.5mm。

6.如权利要求1所述的一种SOD型半导体引线框架，其特征在于：所述框架单元在同一水平上的两个相邻基岛中心之间的距离为13±0.02mm。

7.如权利要求1所述的一种SOD型半导体引线框架，其特征在于：所述基岛的长和宽分别为：1.3±0.05mm。

8.如权利要求1所述的一种SOD型半导体引线框架，其特征在于：所述上片的基岛的中心设有凸台。