[实用新型]SOD型半导体引线框架有效

专利信息
申请号: 201620999901.0 申请日: 2016-08-31
公开(公告)号: CN206412379U 公开(公告)日: 2017-08-15
发明(设计)人: 于孝传;钱龙;李慕俊;管黎 申请(专利权)人: 上海隽宇电子科技有限公司
主分类号: H01L33/62 分类号: H01L33/62
代理公司: 上海三和万国知识产权代理事务所(普通合伙)31230 代理人: 陈伟勇
地址: 200120 上海市浦东*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: sod 半导体 引线 框架
【说明书】:

技术领域

实用新型涉及半导体芯片封装领域,具体是一种SOD型半导体引线框架。

背景技术

目前SOD型半导体引线框架主要用于手工装配生产中,为了便于手工装配,产品封装引线框架为单排设计,生产效率低,且引线框架中的芯片承放结构密度小,框架利用率低,耗费材料。同时上片和下片很难做成薄型贴片。

实用新型内容

针对上述问题,本实用新型的主要目的在于提供一种既克服引线框架单排设计,芯片承放结构密度小,封装时效率低,浪费人工的问题,同时又克服了上片和下片不能做薄型贴片的问题。

本实用新型是通过下述技术方案来解决上述技术问题的:

一种SOD型半导体引线框架,由上片66和下片86平贴扣合而成;所述上片66和下片86均由上边框11和下边框12以及与上边框11和下边框12垂直并整体连接的多个框架单元58组成;所述上片66的上边框11和下边框12都均匀分布多个圆形定位孔1、多个椭圆形定位孔2和多个方孔9;所述下片86的上边框11和下边框12都均匀分布多个圆形定位孔1、多个椭圆形定位孔2和多个凸刺8;所述上片66的上边框11和下边框12的定位孔1和椭圆形定位孔2分别与下片86的上边框11和下边框12的定位孔1和椭圆形定位孔2一一对应;所述上片66的上边框11和下边框12的方孔9分别与下片86上边框11和下边框12的凸刺8一一紧密配合;所述框架单元58包括整体连接上边框11和下边框12的连筋10以及上下均匀排列的且仅在连筋10的一侧的多个与所述连筋10垂直的引脚5,引脚5上整体连接一个基岛6;所述相邻框架单元58的引脚5位于连筋10的不同侧,且连筋10相邻的框架单元58相互连接且紧邻,连筋10相邻的框架单元58组成复合框架单元88;所述上片66的复合框架单元88的左边基岛6与所述下片86的复合框架单元88的右边基岛6配合,所述上片的复合框架单元88的右边基岛6与所述下片86的复合框架单元88的左边基岛6配合;上片66相邻复合框架单元58垂直中心线之间的距离为13±0.02mm,下片86相邻复合框架单元58垂直中心线之间的距离也是13±0.02mm;所述上片66开设有34个框架单元58;所述下片86开设有34个框架单元58;所述框架单元58上均设有25个引脚5;所述上片66和下片86的上边框11和下边框12的侧边都均匀设有开口13。

每一块带材可制作的上片66的引脚5共850个,下片86的引脚5共850个,上片66和下片86可封装850个芯片,这样节省了材料浪费。

所述开口13的长和宽分别为:1mm和0.4mm。

所述方孔9的长和宽分别为:2.5mm和1.2mm。

所述引脚5和基岛6之间设有折边部3,所述的拆边部上设有两个防分层孔4。

所述上片66和下片86的长度和宽度分别为221±0.05mm、76±0.05mm。

所述上片66和下片86的多个椭圆形定位孔2的长和宽分别为3mm和1.5mm。

所述框架单元58在同一水平上的两个相邻基岛6中心之间的距离为13±0.02mm。

所述基岛6的长和宽分区为:1.3±0.05mm。

所述上片66的基岛6的中心设有凸台15。

本实用新型的积极进步效果在于:多排设计,芯片承放结构密度高,封装时效率高,同时上片和下片又能做薄型贴片。

附图说明

图1是本实用新型的上片66的结构示意图。

图2是图1中A处的局部放大图。

图3是上片66的复合框架单元88的结构示意图。

图4是图3中C处的放大图。

图5是图3中C处的侧视图。

图6是本实用新型的下片86的结构图。

具体实施方式

下面结合附图给出本实用新型较佳实施例,以详细说明本实用新型的技术方案。

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