[实用新型]一种适用于管式PECVD的石墨舟

说明书

技术领域

本实用新型涉及太阳能电池片制备技术领域，尤其涉及一种适用于管式PECVD的石墨舟。

背景技术

常规的化石燃料日益消耗殆尽，在所有的可持续能源中，太阳能无疑是一种最清洁、最普遍和最有潜力的替代能源。目前，在所有的太阳电池中，晶体硅太阳电池是得到大范围商业推广的太阳能电池之一，这是由于硅材料在地壳中有着极为丰富的储量，同时晶体硅太阳电池相比其他类型的太阳能电池有着优异的电学性能和机械性能，因此，晶体硅太阳电池在光伏领域占据着重要的地位。

现有技术中，晶体硅太阳能电池的制备工艺主要包括：清洗、去损伤层、制绒、扩散制结、刻蚀、沉积减反射膜、印刷、烧结、电池片测试。其中，沉积减反射膜是晶体硅太阳能电池生产过程中的一个重要工序。目前，氮化硅薄膜作为晶体硅太阳能电池的光学减反射膜，同时也起到表面钝化和体内钝化的作用，以提高太阳能电池的转换效率。现有技术中，制备氮化硅薄膜一般采用的是等离子体增强化学气相沉积(PECVD)方法，在采用PECVD设备制备氮化硅薄膜的过程中，需要使用一种承载硅片的石墨舟。

现有的石墨舟，如图1所示，包括石墨舟舟片1’，石墨舟舟片1’沿其长度方向间隔设置有复数个卡槽2’，卡槽2’的四边上分布有三个卡点，分别为第一卡点3’、第二卡点4’和第三卡点5’，第一卡点3’、第二卡点4’和第三卡点5’分别位于卡槽2’的其中三边上；如图2所示，硅片6’则放置于卡槽2’处，垂直于第一卡点3’、第二卡点4’和第三卡点5’放置其上，进而承载硅片6’，以防止硅片6’掉落；最终对硅片6’的侧面进行镀膜形成氮化硅薄膜，该氮化硅薄膜在钝化和减反射方面起到了非常重要的作用。

然而，该石墨舟的三个卡点，其中第一卡点3’位于右侧边靠上侧位置，第二卡点4’位于左侧边靠下侧位置，第三卡点5’则位于底边靠左侧位置，第二卡点4’、第三卡点5’非常靠近，因而此时硅片6’从上侧滑入第一卡点3’、第二卡点4’和第三卡点5’形成的空间时，右侧通过第一卡点3’限位，左侧下部通过第二卡点4’限位，底部通过第三卡点5’支撑，由于第一卡点3’距离第二卡点4’和第三卡点5’都较远，从而导致左上角和右下角的位置处具有较大面积的悬空(未支撑)，从而导致硅片6’在石墨舟内和石墨舟舟片1’贴合不够紧密，从而无法保证镀膜均匀性，影响镀膜效果，最终影响电池片的导电性。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提出一种适用于管式PECVD的石墨舟，能够提高硅片在石墨舟内和石墨舟舟片的贴合紧密程度，从而保证镀膜均匀性，提高导电性。

为达此目的，本实用新型采用以下技术方案：

一种适用于管式PECVD的石墨舟，包括石墨舟舟片，所述石墨舟舟片上沿所述石墨舟舟片的长度方向间隔开设有复数个卡槽，每个所述卡槽的外边缘均设置有用于放置硅片的卡点，所述卡点包括位于所述卡槽的一侧部的第一卡点、位于所述卡槽的另一侧部的第二卡点及位于所述卡槽的底部的第三卡点，其中，

所述第一卡点位于区域d，所述区域d为所述第一卡点对应的所述硅片的侧边的边长a从下至上的[1/2，3/4]之间的区域；

所述第二卡点位于区域c，所述区域c为所述第二卡点对应的所述硅片的侧边的边长a从下至上的[1/2，1)之间的区域；

所述第三卡点位于区域b，所述区域b为所述第三卡点对应的所述硅片的底边的边长a从左至右的[1/2，1)之间的区域。

其中，所述第二卡点位于所述第二卡点对应的所述硅片的侧边的边长a从下至上的[1/2，3/4]之间的区域；

所述第三卡点位于所述第三卡点对应的所述硅片的底边的边长a从左至右的[1/2，3/4]之间的区域。

其中，所述第三卡点位于所述第三卡点对应的所述硅片的底边的边长a的1/2位置处。

其中，所述第一卡点和所述第二卡点分别位于所述硅片的两个侧边的同一高度位置处，以使所述第一卡点、所述第二卡点及所述第三卡点依次连接后形成等腰或等边三角形。

其中，所述卡点还包括位于所述卡槽的底部的第四卡点，

所述第四卡点位于区域h，所述区域h为所述第四卡点对应的所述硅片的底边的边长a从左至右的(0，1/2]之间的区域。

其中，所述第二卡点位于所述第二卡点对应的所述硅片的侧边的边长a从下至上的[1/2，3/4]之间的区域。

其中，所述第三卡点位于所述第三卡点对应的所述硅片的底边的边长a从左至右的[5/8，7/8]之间的区域；