[实用新型]一种具有GaN:C/GaN超晶格高阻层的HEMT结构有效
| 申请号： | 201621088684.6 | 申请日： | 2016-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN206210804U | 公开（公告）日： | 2017-05-31 |
| 发明（设计）人： | 徐明升;王洪;周泉斌 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/06 |
| 代理公司： | 广州市华学知识产权代理有限公司44245 | 代理人： | 罗观祥 |
| 地址： | 510640 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 具有 gan 晶格 高阻层 hemt 结构 | ||
1.一种具有GaN:C/GaN超晶格高阻层的HEMT结构，其特征在于，该HEMT结构自下而上依次包括衬底、GaN成核层、GaN缓冲层、GaN:C/GaN超晶格高阻层和AlGaN势垒层；其中高阻层由多层GaN：C故意碳掺杂层和非故意掺杂GaN层交替连接组成；单层GaN：C故意碳掺杂层的厚度为5-500nm；单层非故意掺杂GaN层的厚度为5-500nm。
2.根据权利要求1所述的一种具有GaN:C/GaN超晶格高阻层的HEMT结构，其特征在于，所述GaN成核层的厚度为20-40nm；所述GaN缓冲层的厚度为1.5-2.5um。
3.根据权利要求1所述的一种具有GaN:C/GaN超晶格高阻层的HEMT结构，其特征在于，所述HEMT结构还包括帽层；帽层的厚度为0-5nm；帽层为GaN帽层、AlN帽层或者氮化硅帽层；帽层设置在AlGaN势垒层上。
4.根据权利要求1所述的一种具有GaN:C/GaN超晶格高阻层的HEMT结构，其特征在于，所述衬底为蓝宝石衬底、碳化硅衬底或硅材料衬底。
5.根据权利要求1所述的一种具有GaN:C/GaN超晶格高阻层的HEMT结构，其特征在于，所述单层GaN：C故意碳掺杂层的厚度为20-40nm；单层非故意掺杂GaN层4.2的厚度为20-40nm。
6.根据权利要求1所述的一种具有GaN:C/GaN超晶格高阻层的HEMT结构，其特征在于，所述AlGaN势垒层的厚度为5-50nm。
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