[实用新型]三维集成电路有效
| 申请号： | 201621110405.1 | 申请日： | 2016-01-11 |
| 公开（公告）号： | CN206516630U | 公开（公告）日： | 2017-09-22 |
| 发明（设计）人： | E·F·希欧多尔;I·C·迈克尔 | 申请（专利权）人： | 硅源公司 |
| 主分类号： | H01L23/52 | 分类号： | H01L23/52;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京鸿元知识产权代理有限公司11327 | 代理人： | 李琳,许向彤 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 三维集成电路 | ||
【权利要求书】：
1.一种三维集成电路，包括：
上器件层，具有转移器件互连层，和与所述转移器件互连层相对的一侧上的分离表面；
粘结氧化层；以及
下器件层，包括下器件互连层，所述下器件互连层粘结在所述上器件层上并且与所述转移器件互连层连通。
2.根据权利要求1所述的三维集成电路，其中，所述下器件互连层粘结在所述分离表面上。
3.根据权利要求1所述的三维集成电路，其中，所述下器件互连层粘结在所述转移器件互连层上。
4.根据权利要求1所述的三维集成电路，其在1.0E+02至1.0E+04nm的引脚节距范围内的输入/输出密度在1.0E+06至1.0E+08引脚/cm2之间。
5.根据权利要求1所述的三维集成电路，其中，所述分离表面限定冷却剂流通道。
6.根据权利要求1所述的三维集成电路，其中，所述上器件层包括硅通孔TSV，所述硅通孔在直径为0.1至1μm的硅通孔的范围内具有的纵横比，即，深度：直径的最小宽度，在1至10之间。
7.根据权利要求1所述的三维集成电路，其中，所述分离表面富含氢。
8.根据权利要求7所述的三维集成电路，其中，所述氢反映离散与质子范围的比值为0.1或更小。
9.根据权利要求1所述的三维集成电路，进一步包括应力补偿层。
10.根据权利要求1所述的三维集成电路，进一步包括高导热率层。
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