[实用新型]一种用于特征提取的语音滤波电路及语音绘图系统

权利要求书

1.一种用于特征提取的语音滤波电路，其特征在于，包括电压输入端、电压输出端、三极管T1、三极管T2、三极管T3、三极管T4、三极管T5、三极管T6、三极管T7、三极管T8、三极管T9、电容C0、电容C1、电容C2，其中：

所述电容C1并联在所述三极管T1的集电极与发射极两端，所述三极管T1的集电极分别与所述三极管T2的基极以及所述三极管T3的集电极连接，所述三极管T1的基极与所述三极管T5的基极连接，所述三极管T1的发射极、所述三极管T2的发射极、三极管T5的发射极、三极管T7的发射极以及三极管T8的发射极均与接地端连接；

所述电容C2并联在所述三极管T2的集电极与发射极两端，所述三极管T2集电极与电源输入端以及所述三极管T4的集电极连接；

所述三极管T5的集电极与所述三极管T6的集电极以及所述三极管T7的集电极连接，所述三极管T7的集电极与所述三极管T7的基极连接，所述三极管T7的基极与所述三极管T8的基极连接，所述三极管T8的集电极与所述三极管T9的集电极连接；所述电容C0并联在所述三极管T9的基极与所述三极管T9的发射极两端，所述三极管T9的集电极与所述电压输出端连接；所述三极管T3的集电极、三极管T4的集电极、三极管T6的集电极以及三极管T9的集电极均与参考电压连接；

所述三极管T1、三极管T5、三极管T7、三极管T8均为P沟道型MOS管，所述三极管T3、三极管T4、三极管T6、三极管T9均为N沟道型MOS管。

2.一种语音绘图系统，包括麦克风、时钟电路以及供电电路，其特征在于，还包括音频输入电路、音频输出电路、语音缓存电路、语音指令存储电路、用于驱动画笔的电机电路、供电电路、嵌入式语音识别处理电路以及如权利要求1所述的用于特征提取的语音滤波电路，其中：

所述麦克风的模拟信号输出端与所述音频电路的音频输入端连接；所述音频输出电路的音频输出端与所述语音滤波电路的电压输入端连接，所述语音滤波电路的电压输出端与所述嵌入式语音识别处理电路的音频输入端连接；所述语音缓存电路的第一支路与语音指令存储电路的输入输出端连接，第二支路与所述音频输出电路的音频输入端连接，第三支路与所述嵌入式语音识别处理电路的输入输出端连接；所述语音指令存储电路与所述嵌入式语音识别处理电路连接；所述电机电路与所述嵌入式语音识别处理电路的驱动端连接；所述供电电路为其余部件供电；所述时钟电路为其余部件提供时钟输入信号。

3.根据权利要求2所述的系统，其特征在于，所述音频输入电路包括与所述麦克风的正极连接的第一音频输入端以及与所述麦克风的负极连接的第二音频输入端，所述第一音频输入端的第一支路经过第一分压电阻后与模拟地连接，所述第一音频输入端的第二支路经过第一滤波电容与所述嵌入式语音识别处理电路的正极输入输出端连接，所述第二音频输入端经过第二滤波电容与所述嵌入式语音识别处理电路的负极输入输出端连接。

4.根据权利要求2所述的系统，其特征在于，所述音频输入电路为差分输入电路，所述差分输入电路的第一输入端与所述麦克风的正极连接，所述差分输入电路的第二输入端与所述麦克风的负极连接，所述差分输入电路的第二输入端接地，所述差分输入电路的第一端经过第三滤波电容后，依次与第一运算放大器以及第二运算放大器连接，所述第一运算放大器的负输入端与输出端之间并联有第二分压电阻以及第四滤波电容，所述第二运算放大器的负输入端与输出端之间并联有第三分压电阻以及第五滤波电容，所述第一运算放大器的正输入端与所述第二运算放大器的正输入端连接后与参考地端连接，所述第一运算放大器的输出端经过第六滤波电容后与所述嵌入式语音识别处理电路的正极输入端连接，所述第二运算放大器的输出端与所述第一运算放大器的输出端连接后与所述嵌入式语音识别处理电路的负极输入端连接。

5.根据权利要求2所述的系统，其特征在于，所述语音缓存电路包括intel2114芯片以及第一外围电路，所述intel2114芯片的第一语音缓存端与所述麦克风的正极连接，所述intel2114芯片的第二语音缓存端与所述麦克风的负极连接。