[实用新型]一种用于特征提取的语音滤波电路及语音绘图系统有效
申请号: | 201621117788.5 | 申请日: | 2016-10-12 |
公开(公告)号: | CN206116013U | 公开(公告)日: | 2017-04-19 |
发明(设计)人: | 凌滨;崔珊珊;孟凡曦;游岚华 | 申请(专利权)人: | 东北林业大学 |
主分类号: | G10L15/02 | 分类号: | G10L15/02;G10L15/22 |
代理公司: | 哈尔滨市松花江专利商标事务所23109 | 代理人: | 杨立超 |
地址: | 150040 黑龙*** | 国省代码: | 黑龙江;23 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 用于 特征 提取 语音 滤波 电路 绘图 系统 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种用于特征提取的语音滤波电路及语音绘图系统,属于语音识别电路领域。
背景技术
语音识别是实现智能化物联网、智能家居的重要技术,现有技术中的语音特征提取电路的实现方法有基于串联的低通滤波器和并联带通滤波器两类,两种方法的分辨率都不能达到高精度的需求,并且电路结构较为复杂,配合芯片使用会使得芯片资源利用率较低。
发明内容
本发明为了解决现有技术中由于仅使用串联低通滤波器或并联带通滤波器,导致语音识别的分辨率较低,达不到高精度的缺陷,提出了一种用于特征提取的语音滤波电路及语音绘图系统,其中语音滤波电路包括:电压输入端、电压输出端、三极管T1、三极管T2、三极管T3、三极管T4、三极管T5、三极管T6、三极管T7、三极管T8、三极管T9、电容C0、电容C1、电容C2,其中:
所述电容C1并联在所述三极管T1的集电极与发射极两端,所述三极管T1的集电极分别与所述三极管T2的基极以及所述三极管T3的集电极连接,所述三极管T1的基极与所述三极管T5的基极连接,所述三极管T1的发射极、所述三极管T2的发射极、三极管T5的发射极、三极管T7的发射极以及三极管T8的发射极均与接地端连接;
所述电容C2并联在所述三极管T2的集电极与发射极两端,所述三极管T2集电极与所述电源输入端以及所述三极管T4的集电极连接;
所述三极管T5的集电极与所述三极管T6的集电极以及所述三极管T7的集电极连接,所述三极管T7的集电极与所述三极管T7的基极连接,所述三极管T7的基极与所述三极管T8的基极连接,所述三极管T8的集电极与所述三极管T9的集电极连接;所述电容C0并联在所述三极管T9的基极与所述三极管T9的发射极两端,所述三极管T9的集电极与所述电压输出端连接;所述三极管T3的集电极、三极管T4的集电极、三极管T6的集电极以及三极管T9的集电极均与参考电压连接;
所述三极管T1、三极管T5、三极管T7、三极管T8均为P沟道型MOS管,所述三极管T3、三极管T4、三极管T6、三极管T9均为N沟道型MOS管。
本发明还提出了一种语音绘图系统,包括麦克风、时钟电路以及供电电路,还包括音频输入电路、音频输出电路、语音缓存电路、语音指令存储电路、用于驱动画笔的电机电路、供电电路、嵌入式语音识别处理电路以及前述的用于特征提取的语音滤波电路,其中:所述麦克风的模拟信号输出端与所述音频电路的音频输入端连接;所述音频输出电路的音频输出端与所述语音滤波电路的电压输入端连接,所述语音滤波电路的电压输出端与所述嵌入式语音识别处理电路的音频输入端连接;所述语音缓存电路的第一支路与语音指令存储电路的输入输出端连接,第二支路与所述音频输出电路的音频输入端连接,第三支路与所述嵌入式语音识别处理电路的输入输出端连接;所述语音指令存储电路与所述嵌入式语音识别处理电路连接;所述电机电路与所述嵌入式语音识别处理电路的驱动端连接;所述供电电路为其余部件供电;所述时钟电路为其余部件提供时钟输入信号。
本发明的技术效果是,使用MOS管代替低通滤波器以及带通滤波器,便于语音特征提取和计算,提高了语音识别的分辨率和精度。同时提供了一种语音绘图系统,可以通过语音识别控制画笔进行绘图,填补了通过语音识别进行绘图的技术空白,而语音识别过程中使用的语音滤波电路也使得语音识别更加准确。
附图说明
图1是本实用新型实施例的用于特征提取的语音滤波电路的电路结构图;
图2(a)是原始语音信号的二维时频图;
图2(b)是使用本实用新型的语音滤波电路滤波后的二维时频图;
图3(a)是原始语音信号的时域图;
图3(b)是滤波后信号的时域图;
图4是本实用新型实施例的语音识别系统的方框原理图;
图5是本实用新型实施例的音频输出电路的电路结构图;
图6是本实用新型实施例的音频输入电路的一个实施例的电路结构图;
图7是本实用新型实施例的语音缓存电路的电路结构图;
图8是本实用新型实施例的用于驱动画笔的电机驱动电路的电路结构图;
图9是本实用新型实施例的音频输入电路的另一个实施例的电路结构图。
具体实施方式
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