[实用新型]一种低功耗小尺寸的上电复位电路

权利要求书

1.一种低功耗小尺寸的上电复位电路，其特征在于，至少包括：

电源延时模块(11)，连接于一外部电源，用于对所述的外部电源进行延时，并输出一延时电压；

上升沿产生模块(12)，连接于所述电源延时模块(11)，用于对所述延时电压进行电压检测，并将检测后的电压进行反相，以产生上升沿的阶跃信号，此信号作为复位信号的下降沿准备信号；

下降沿产生模块(13)，连接于所述电源延时模块(11)，用于对所述的延时电压进行第一次反相，然后对反相后的电压进行延时，为复位信号的延时作准备，再对延时后的电压进行第二次反相，以产生下降沿的阶跃信号，此信号作为复位信号的上升沿准备信号；

复位脉冲产生模块(14)，连接于所述的上升沿产生模块(12)和所述下降沿产生模块(13)，用于对接收到的上升沿阶跃信号和下降沿阶跃信号进行与非，利用与非门逻辑产生复位脉冲；

脉冲整形模块(15)，连接于所述的复位脉冲产生模块(14)，用于对所述的复位脉冲进行放大和整形，并将放大和整形后的电压信号作为上电复位电路的输出信号。

2.根据权利要求1所述的一种低功耗小尺寸的上电复位电路，其特征在于：所述电源电压延时模块(11)电路含有第一电容C1、第二电容C2、P型MOS管M1、P型MOS管M2和P型MOS管M3，第一电容C1的一端、P型MOS管M2的源极与电源相互连接；第一电容C1的另一端、P型MOS管M1的源极与P型MOS管M3的栅极相互连接；P型MOS管M1的漏极、第二电容C2的一端与地相互连接；P型MOS管M2的栅极、P型MOS管M2的漏极与P型MOS管M3的源极相互连接；P型MOS管M1的栅极、P型MOS管M3的漏极、第二电容C2的另一端与电源延时模块(11)的输出端相互连接。

3.根据权利要求1所述的一种低功耗小尺寸的上电复位电路，其特征在于：所述的上升沿产生模块(12)含有第一两输入与非门NAND1构成电平检测电路，通过调整第一两输入与非门NAND1的器件尺寸设计合适的翻转电平；所述的上升沿产生模块(12)含有第一反相器INV1构成电压反相电路，用来产生上升沿的阶跃信号；第一两输入与非门NAND1的一输入端与电源连接；第一两输入与非门NAND1的另一输入端与电源延时模块(11)的输出端连接；第一两输入与非门NAND1的输出端与第一反相器INV1的输入端连接；第一反相器INV1的输出与上升沿产生模块(12)的输出端连接。

4.根据权利要求1所述的一种低功耗小尺寸的上电复位电路，其特征在于：所述的下降沿产生模块(13)含有P型MOS管M4、N型MOS管M5和第二两输入与非门NAND2构成延时模块，通过调整P型MOS管M4、N型MOS管M5和第二两输入与非门NAND2的器件尺寸设计合适的延时时间；所述的下降沿产生模块(13)含有第二反相器INV2构成电压反相电路，用来产生下降沿的阶跃信号；P型MOS管M4的栅极、N型MOS管M5的栅极与电源延时模块(11)的输出相互连接；P型MOS管M4的源极、第二两输入与非门NAND2的一输入端与电源相互连接；P型MOS管M4的漏极、N型MOS管M5的漏极与第二两输入与非门NAND2的另一输入端相互连接； N型MOS管M5的源极与地连接；第二两输入与非门NAND2的输出端与第二反相器INV2的输入端连接；第二反相器INV2的输出端与下降沿产生模块(13)的输出端连接。

5.根据权利要求1所述的一种低功耗小尺寸的上电复位电路，其特征在于：所述的复位脉冲产生模块(14)含有第三两输入与非门NAND3，利用与非门逻辑，产生复位脉冲信号的输出；第三两输入与非门NAND3的一输入端与上升沿产生模块(12)的输出连接；第三两输入与非门NAND3的另一输入端与下降沿产生模块(13)的输出连接；第三两输入与非门NAND3的输出端与复位脉冲产生模块(14)的输出端连接。

6.根据权利要求1所述的一种低功耗小尺寸的上电复位电路，其特征在于：所述的脉冲整形模块(15)电路含有第三反相器INV3和第四反相器INV4，对输入信号进行放大和整形，输出上电复位信号；第三反相器INV3的输入端与复位脉冲产生模块(14)的输出端连接；第三反相器INV3的输出端与第四反相器INV4的输入端连接；第四反相器INV4的输出端输出上电复位信号。